+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRF540NSTRLPBF
Документация

ТРАНЗИСТОРЫ IRF540NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 100В, 33А, 3.8Вт, корпус TO-263-3

Артикул:745469
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
2 270 шт.
Норм. уп.: 800
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 270 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 800
Минимальная партия: 12 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 166,10
от 3660,90
от 7156,66
от 14153,48
от 28251,09
Описание

Транзистор полевой N-канальный от Infineon Technologies. Модель IRF540NSTRLPBF предназначена для коммутации и усиления сигналов в силовых цепях. Компонент отличается низким сопротивлением канала в открытом состоянии и высокой переключающей способностью. Выпускается в поверхностно-монтируемом корпусе TO-263-3, что удобно для автоматизированного монтажа.

Технические характеристики
Tf35ns
Tr35ns
GFS21S
Заряд затвор-сток21nC
Заряд затвор-исток14nC
Заряд обратного восстановления505nC
TRR115ns
Ciss1960pF
Coss250pF
Crss40pF
Dv dt7.0V/ns
Td(вкл)11ns
V dss100V
Td(выкл)39ns
P d 25c130W
КорпусD2Pak (TO-263)
T j max175°C
T j min-55°C
Qg total71nC
V gs max±20V
V sd max1.2V
I dss max25µA
Без свинцаДа
Кол-во выводов3
T stg max175°C
T stg min-55°C
I d pulsed110A
ОписаниеN-Channel HEXFET Power MOSFET
АртикулIRF540NSTRLPBF
R ds on max44mΩ
R th ja max40°C/W
R th jc max1.15°C/W
V gs th max4.0V
V gs th min2.0V
Тип монтажаSMD
I ar avalanche16A
I dss 150c max250µA
Темп. пайки300°C for 10s
Avalanche ratedДа
E ar repetitive13mJ
Момент затяжки10 lbf·in (1.1N·m)
ОписаниеMOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
E as single pulse700mJ
I gss forward max100nA
I gss reverse max-100nA
I d continuous 25c33A
R ds on conditionsVGS=10V, ID=16A
СтруктураN-канал
I d continuous 100c23A
Коэффициент снижения мощности0.87W/°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А33
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт130
Напряжение, В100
Ток, А33

Заметили ошибку в описании или параметрах?