Документация
IRF540NPBF TO-220 MOSFET транзистор INFIN (арт. 211004)
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
950 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:950 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 28,16 |
Описание
IRF540NPBF — это N-канальный полевой MOSFET-транзистор в корпусе TO-220, выпускаемый компанией Infineon (ранее International Rectifier). Компонент оптимизирован для работы в цепях с высокими токами и напряжениями, обеспечивая низкое сопротивление открытого канала. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, схемах управления двигателями и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 33 А |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 35 ns (typ) |
| Время нарастания | 35 ns (typ) |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRF540NPbF |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Мощность, Вт | 130 |
| Лавинный ток | 16A |
| Полный заряд затвора | 71 nC (max) |
| Заряд затвор-исток | 14 nC (max) |
| Время задержки включения | 11 ns (typ) |
| Время задержки выключения | 39 ns (typ) |
| Forward turn on time | negligible (dominated by LS+LD) |
| Импульсный ток стока | 110A |
| Напряжение, В | 100 В |
| Gate threshold voltage | 2.0 to 4.0V |
| Input capacitance ciss | 1960 pF (typ) |
| Коэффициент снижения мощности | 0.87 W/°C |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Output capacitance coss | 250 pF (typ) |
| Drain source voltage vds | 100V |
| Прямая крутизна | 21 S (typ) |
| Gate drain miller charge | 21 nC (max) |
| Power dissipation at 25c | 130W |
| Diode forward voltage vsd | 1.2V (max) |
| Internal drain inductance | 4.5 nH (typ) |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 7.0 V/ns |
| Reverse recovery time trr | 115 ns (typ), 170 ns (max) |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Internal source inductance | 7.5 nH (typ) |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100 nA (max, Vgs=20V) |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100 nA (max, Vgs=-20V) |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Reverse recovery charge qrr | 505 nC (typ), 760 nC (max) |
| Drain source leakage current | 25µA (max, Vds=100V, Vgs=0V); 250µA (max, Vds=80V, Tj=150°C) |
| Энергия одиноч. импульса | 700mJ (typical 185mJ) |
| Soldering temperature for 10s | 300°C (1.6mm from case) |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Continuous drain current at 25c | 33A |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50 °C/W (typ) |
| Continuous drain current at 100c | 23A |
| Pulsed source current body diode | 110A |
| Reverse transfer capacitance crss | 40 pF (typ) |
| Static drain source on resistance | 44 mΩ (max, Vgs=10V, Id=16A) |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.12 V/°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.15 °C/W (max) |
| Continuous source current body diode | 33A |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175°C |
| Термосопротивление переход-среда | 62 °C/W (max) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?