Документация
Транзистор полевой IRF540NPBF / N-канал, TO-220, 33А, 100В
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
6 090 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:6 090 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 31,08 |
| от 250 | 28,65 |
| от 450 | 27,00 |
| от 900 | 25,55 |
| от 1 800 | 24,59 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) N-канального типа от Infineon. Выполнен в стандартном корпусе TO-220, предназначен для коммутации и усиления сигналов в цепях средней мощности. Отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность в импульсных источниках питания и преобразователях напряжения.
Технические характеристики
| V gs | ±20V |
| V dss | 100V |
| I d 25c | 33A |
| P d 25c | 130W |
| Корпус | TO-220AB |
| R ds on | 44mΩ |
| R th cs | 0.50 °C/W |
| R th ja | 62 °C/W |
| R th jc | 1.15 °C/W |
| V gs th | 2.0V to 4.0V |
| I d 100c | 23A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | 110A |
| Артикул | IRF540N |
| Td on delay | 11ns |
| Td off delay | 39ns |
| Время спада | 35ns |
| Время нарастания | 35ns |
| I dss leakage | 25µA at VDS=100V, VGS=0V; 250µA at VDS=80V, TJ=150°C |
| T j operating | -55 to +175 °C |
| T stg storage | -55 to +175 °C |
| I ar avalanche | 16A |
| E ar repetitive | 13mJ |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| E as single pulse | 700mJ |
| Полный заряд затвора Qg | 71nC |
| I gss forward leakage | 100nA at VGS=20V |
| I gss reverse leakage | -100nA at VGS=-20V |
| Заряд затвор-сток Qgd | 21nC |
| Температура пайки | 300°C for 10s (1.6mm from case) |
| Входная емкость Ciss | 1960pF |
| Коэффициент снижения мощности | 0.87 W/°C |
| Заряд затвор-исток Qgs | 14nC |
| Выходная емкость Coss | 250pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Ton forward turn on time | negligible (dominated by LS+LD) |
| Dv dt peak diode recovery | 7.0 V/ns |
| Ism pulsed source current | 110A |
| Время обратного восстановления | 115ns typ, 170ns max |
| Vsd diode forward voltage | 1.2V |
| Заряд обратного восстановления | 505nC typ, 760nC max |
| Breakdown voltage temp coeff | 0.12 V/°C |
| Крутизна | 21S |
| Is continuous source current | 33A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| L d internal drain inductance | 4.5nH |
| L s internal source inductance | 7.5nH |
| Обр. проходная емкость Crss | 40pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?