Документация
Транзистор IRF540NPBF
У поставщика
У поставщиков
9 876 шт.
Норм. уп.: 8
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 19,76 |
| от 20 | 19,20 |
| от 40 | 18,65 |
| от 80 | 18,24 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:3 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 8
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 19,76 |
| от 20 | 19,20 |
| от 40 | 18,65 |
| от 80 | 18,24 |
Склад 12
В наличии:5 400 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 980 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 61,07 |
| от 50 | 28,39 |
Склад 13
В наличии:4 473 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 31,08 |
| от 250 | 28,65 |
| от 450 | 27,00 |
| от 900 | 25,55 |
| от 1 800 | 24,59 |
Описание
Транзистор IRF540NPBF от Infineon — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220AB с монтажом в отверстия. Выдерживает импульсный ток до 110 А, рассеивает до 130 Вт тепла и отличается быстрым переключением (время нарастания и спада — 35 нс). Подходит для импульсных источников питания, преобразователей напряжения и схем управления двигателями в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| V gs | ±20V |
| V dss | 100V |
| I d 25c | 33A |
| P d 25c | 130W |
| Корпус | TO-220AB |
| R ds on | 44mΩ |
| R th cs | 0.50°C/W |
| R th ja | 62°C/W |
| R th jc | 1.15°C/W |
| V gs th | 2.0V to 4.0V |
| I d 100c | 23A |
| Тип монтажа | Выводной |
| V(BR)DSS | 100V |
| Время спада | 35ns |
| Время нарастания | 35ns |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | 110A |
| Артикул | IRF540NPbF |
| Td on delay | 11ns |
| Td off delay | 39ns |
| Время спада | 35ns |
| Время нарастания | 35ns |
| I dss leakage | 25µA at 25°C, 250µA at 150°C |
| T j operating | -55 to +175°C |
| T stg storage | -55 to +175°C |
| I ar avalanche | 16A |
| E ar repetitive | 13mJ |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Лавинный ток | 16A |
| Заряд сток-затвор | 21nC |
| Вх. емкость | 1960pF |
| Рассеиваемая мощность | 130W |
| Полный заряд затвора | 71nC |
| Заряд затвор-исток | 14nC |
| Выходная емкость | 250pF |
| Время задержки включения | 11ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 39ns |
| V br dss temp coeff | 0.12V/°C |
| Импульсный ток стока | 110A |
| Полный заряд затвора Qg | 71nC |
| Напр. диода | 1.2V |
| I gss forward leakage | 100nA |
| I gss reverse leakage | -100nA |
| Pulsed source current | 110A |
| Заряд затвор-сток Qgd | 21nC |
| Время обратного восстановления | 115ns (typ), 170ns (max) |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Входная емкость Ciss | 1960pF |
| Коэффициент снижения мощности | 0.87 W/°C |
| Заряд затвор-исток Qgs | 14nC |
| Выходная емкость Coss | 250pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 505nC (typ), 760nC (max) |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Drain source voltage vds | 100V |
| Прямая крутизна | 21S |
| Ton forward turn on time | negligible (dominated by LS+LD) |
| Continuous source current | 33A |
| Dv dt peak diode recovery | 7.0V/ns |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 7.0 V/ns |
| Макс. время обрат. восстановления | 170ns |
| Тип. время восст. | 115ns |
| Время обратного восстановления | 115ns typ, 170ns max |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| I sm pulsed source current | 110A |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| V sd diode forward voltage | 1.2V |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Заряд обратного восстановления | 505nC typ, 760nC max |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Reverse recovery charge max | 760nC |
| Тип. заряд восст. | 505nC |
| Длительный ток стока 25°C | 33A |
| Крутизна | 21S |
| Обратная проходная емкость | 40pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | 23A |
| I s continuous source current | 33A |
| L d internal drain inductance | 4.5nH |
| Энергия одиноч. импульса | 700mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| L s internal source inductance | 7.5nH |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50 °C/W |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 25µA |
| Pulsed source current body diode | 110A |
| Обр. проходная емкость Crss | 40pF |
| Drain source leakage current 150c | 250µA |
| Static drain source on resistance | 44mΩ |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.12 V/°C |
| E as single pulse avalanche energy | 700mJ (calculated 185mJ limited to TJ=175°C) |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Gate source leakage current forward | 100nA |
| Gate source leakage current reverse | -100nA |
| Тип. тепловое сопротивление корпус-радиатор | 0.50 °C/W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.15 °C/W |
| Continuous source current body diode | 33A |
| Термосопротивление переход-среда | 62 °C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.15 °C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62 °C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 |
| Мощность, Вт | 130 |
| Тип транзистора | HEXFET Power MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?