+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRF540NPBF
Документация

Транзистор IRF540NPBF

Артикул:1923
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
Ед. изм.шт
У поставщиков
8 шт.
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1016,66
от 2016,20
от 4015,73
от 8015,38
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:8 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1016,66
от 2016,20
от 4015,73
от 8015,38
Описание

Транзистор IRF540NPBF от Infineon — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220AB с монтажом в отверстия. Выдерживает импульсный ток до 110 А, рассеивает до 130 Вт тепла и отличается быстрым переключением (время нарастания и спада — 35 нс). Подходит для импульсных источников питания, преобразователей напряжения и схем управления двигателями в промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипHEXFET Power MOSFET
КорпусTO-220AB
Тип монтажаTHT
Время спада35ns
Время нарастания35ns
АртикулIRF540NPbF
Момент затяжки10 lbf·in (1.1 N·m)
Лавинный ток16A
Заряд сток-затвор21nC
Вх. емкость1960pF
Рассеиваемая мощность130W
Полный заряд затвора71nC
Заряд затвор-исток14nC
Выходная емкость250pF
Время задержки включения11ns
Время задержки выключения39ns
Импульсный ток стока110A
Напр. диода1.2V
Время обратного восстановления115ns (typ), 170ns (max)
Температура пайки300°C for 10s
Коэффициент снижения мощности0.87 W/°C
Напряжение затвор-исток макс.±20V
Заряд обратного восстановления505nC (typ), 760nC (max)
Макс. темп. хр.175°C
Мин. темп. хр.-55°C
Drain source voltage vds100V
Прямая крутизна21S
Internal drain inductance4.5nH
Пиковое dv/dt восстановления диода7.0 V/ns
Пороговое напряжение затвора макс.4.0V
Пороговое напряжение затвора мин.2.0V
Internal source inductance7.5nH
Прямой ток утечки затвор-исток100nA
Обратный ток утечки затвор-исток-100nA
Энергия лавины13mJ
Длительный ток стока 25°C33A
Обратная проходная емкость40pF
Непрерывный ток стока 100°C23A
Энергия одиноч. импульса700mJ
Напряжение пробоя сток-исток100V
Тепл. сопр. корпус-рад.0.50 °C/W
Ток утечки сток-исток при 25°C25µA
Pulsed source current body diode110A
Drain source leakage current 150c250µA
Static drain source on resistance44mΩ
Температурный коэффициент пробивного напряжения0.12 V/°C
Макс. темп. перехода175°C
Мин. темп. перехода-55°C
Тепл. сопр. переход-корпус1.15 °C/W
Continuous source current body diode33A
Термосопротивление переход-среда62 °C/W