Силовой транзистор IRF540N
У поставщика
У поставщиков
7 428 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:7 428 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 31,43 |
| от 126 | 28,16 |
| от 210 | 26,31 |
| от 351 | 24,84 |
| от 584 | 23,79 |
Описание
Силовой N-канальный MOSFET-транзистор IRF540N производства YOUTAI. Компонент предназначен для высокоскоростной коммутации и усиления мощности в цепях постоянного тока. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой пропускной способностью по току, что позволяет эффективно работать в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и схемах управления двигателями.
Технические характеристики
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 16A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1960 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Напряжение, В | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?