Документация
Силовой транзистор IRF530NPBF
У поставщика
У поставщиков
4 559 шт.
Норм. уп.: 50
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 35,75 |
| от 30 | 33,45 |
| от 60 | 32,29 |
| от 120 | 30,68 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 559 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 38,13 |
| от 200 | 35,33 |
| от 350 | 33,45 |
| от 700 | 31,80 |
| от 1 400 | 30,69 |
Описание
Силовой MOSFET-транзистор IRF530NPBF производства Infineon Technologies. Компонент выполнен в корпусе TO-220 и предназначен для коммутации и усиления в цепях с высокими токами. Модель отличается низким сопротивлением открытого канала и оптимизирована для применения в импульсных источниках питания и преобразователях напряжения.
Технические характеристики
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 9A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |