Документация
Силовой транзистор IRF5305PBF
У поставщика
У поставщиков
2 470 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:2 470 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 35,21 |
| от 113 | 31,68 |
| от 192 | 29,68 |
| от 319 | 28,09 |
| от 531 | 26,94 |
Описание
Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IRF5305PBF от производителя YOUTAI предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях с положительным питанием. Компонент выполнен в стандартном корпусе TO-220, что обеспечивает удобный монтаж и эффективный отвод тепла. Применяется в импульсных источниках питания, схемах защиты от переполюсовки и силовых ключах.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 63ns |
| Время нарастания | 66ns |
| Размеры | Ширина корпуса: 4.5±0.2 mm; Длина корпуса: 10.0±0.3 mm; Расстояние между выводами: 2.54 mm (typ); Общая высота: 15.6±0.4 mm |
| On resistance | 60mΩ (Vgs=-10V, Id=-16A) |
| Задержка включения | 14ns |
| Задержка выключения | 39ns |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Лавинный ток | -16A |
| Заряд сток-затвор | 29nC |
| Вх. емкость | 1200pF |
| Рассеиваемая мощность | 110W (Tc=25°C) |
| Полный заряд затвора | 63nC |
| Заряд затвор-исток | 13nC |
| Выходная емкость | 520pF |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55°C to +175°C |
| Drain source leakage | 25µA (Vds=-55V), 250µA (Vds=-44V, Tj=150°C) |
| Напряжение сток-исток | -60V |
| Gate leakage forward | 100nA (Vgs=20V) |
| Gate leakage reverse | -100nA (Vgs=-20V) |
| Импульсный ток стока | -110A |
| Напр. диода | -1.3V (Is=-16A, Tj=25°C) |
| Время обратного восстановления | 71ns typ, 110ns max |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Source current pulsed | -110A |
| Gate threshold voltage | -1.1V to -3.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.71 W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 170nC typ, 250nC max |
| Continuous drain current | -31A (Tc=25°C, Vgs=-10V) |
| Прямая крутизна | 8.0 S |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.0 V/ns |
| Source current continuous | -31A |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Энергия лавины | 11mJ |
| Обратная проходная емкость | 250pF |
| Thermal resistance case sink | 0.50 °C/W |
| Непрерывный ток стока 100°C | -22A (Tc=100°C, Vgs=-10V) |
| Энергия одиноч. импульса | 280mJ |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +175°C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.4 °C/W (typ) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?