Документация
Силовой транзистор IRF5305PBF
У поставщика
У поставщиков
993 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт56,38 ₽
Сумма845,70 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии993 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 36 — 51,96 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 845,70 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 454,30 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 845,70 ₽
Описание
Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IRF5305PBF от Infineon Technologies. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях с высоким напряжением. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и силовых модулях.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | P-канал |
| Без свинца | Да |
| Технология | HEXFET |
| Описание | HEXFET Power MOSFET, P-Channel, Fifth Generation |
| Артикул | IRF5305PbF |
| Тип канала | P-канал |
| Время спада | 63 ns |
| Время нарастания | 66 ns |
| Тип. время спада | 63 ns |
| Тип. время нарастания | 66 ns |
| Pulsed current | -110A |
| Ном. напряжение | -55V |
| Момент затяжки | 10 фунт·дюйм (1.1 Н·м) |
| Описание | MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC |
| Лавинный ток | -16A |
| Рассеиваемая мощность | 110W |
| Номинальный ток при 25 °C | -31A |
| Структура | P-канал |
| Current rating 100c | -22A |
| Общий заряд затвора (Qg) | 63 nC |
| Лавинный ток IAR | -16A |
| Заряд затвор-сток, макс. | 29 nC |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 29 nC |
| Тип. входная емкость | 1200 pF |
| Импульсный ток истока | -110A |
| Температура пайки | 300 °C for 10 seconds (1.6mm from case) |
| Заряд затвора макс. | 63 nC |
| Заряд затвор-исток, макс. | 13 nC |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 13 nC |
| Входная ёмкость Ciss | 1200 pF |
| Коэффициент снижения мощности | 0.71 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 520 pF |
| Время задержки вкл. тип. | 14 ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Напряжение затвор-исток, В | ±20V |
| Выходная ёмкость Coss | 520 pF |
| Время задержки выкл. тип. | 39 ns |
| Пиковая скорость восстановления диода, В/мкс | -5.0 V/ns |
| Power dissipation pd 25c | 110W |
| Импульсный ток стока | -110A |
| Задержка включения (td on) | 14 ns |
| Длительный ток истока | -31A |
| Напр. диода макс. | -1.3V |
| Прямое напряжение диода, В | -1.3V |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | -55V |
| Импульсный ток истока | -110A |
| Макс. время обрат. восстановления | 110 ns |
| Время обратного восстановления | 71 ns typ, 110 ns max |
| Тип. время восст. | 71 ns |
| Температура пайки макс. | 300°C (for 10 seconds, 1.6mm from case) |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -2.0V |
| Задержка выключения | 39 ns |
| Энергия лавины | 11mJ |
| Макс. заряд обратного восстановления | 250 nC |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 170 nC typ, 250 nC max |
| Тип. заряд восст. | 170 nC |
| Непрерывный ток истока | -31A |
| Прямая крутизна (gfs) | 8.0 S |
| Мин. прямая крутизна | 8.0 S |
| Внутренняя индуктивность стока (Ld) | 4.5 nH |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs th) | -2.0 to -4.0 V |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5 nH |
| Внутренняя индуктивность истока (Ls) | 7.5 nH |
| Энергия одиноч. импульса | 280mJ |
| Внутренняя индуктивность истока, тип. | 7.5 nH |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175 °C |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | -31A |
| Макс. прямой ток утечки затвор-исток | 100 nA |
| Макс. обратный ток утечки затвор-исток | -100 nA |
| Повторяющаяся лавинная энергия (EAR) | 11 mJ |
| Непрерывный ток стока при 100 °C | -22A |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | -25 µA |
| Gate source forward leakage igss | 100 nA at VGS=20V |
| Gate source reverse leakage igss | -100 nA at VGS=-20V |
| Обр. проходная емкость тип. | 250 pF |
| Тепловое сопротивление корпус-радиатор, тип. | 0.50 °C/W |
| Ток утечки сток-исток при 150 °C | -250 µA |
| Drain source leakage current idss | -25 µA at VDS=-55V, VGS=0V; -250 µA at VDS=-44V, VGS=0V, TJ=150°C |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 250 pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 280 mJ |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.034 V/°C |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -55V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, макс. | 1.4 °C/W |
| Напряжение пробоя сток-исток, Vbrdss | -55V |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 0.06 Ω |
| Тепловое сопротивление корпус-радиатор RthCS | 0.50 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 62 °C/W |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Rds(on) | 0.06 Ω |
| Тепловое сопротивление переход-корпус RthJC | 1.4 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62 °C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Напряжение, В | 55 |
| Ток, А | 31 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?