Документация
Силовой транзистор IRF5305PBF
У поставщика
У поставщиков
1 738 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:993 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 70,58 |
| от 34 | 65,10 |
| от 100 | 60,63 |
| от 150 | 57,28 |
| от 300 | 54,77 |
Склад 12
В наличии:745 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 300 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 77,63 |
| от 30 | 70,61 |
Описание
Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IRF5305PBF от Infineon Technologies. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях с высоким напряжением. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и силовых модулях.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | P-Channel |
| Без свинца | Да |
| Технология | HEXFET |
| Описание | HEXFET Power MOSFET, P-Channel, Fifth Generation |
| Артикул | IRF5305PbF |
| Channel type | P-Channel |
| Fall time tf | 63 ns |
| Rise time tr | 66 ns |
| Тип. время спада | 63 ns |
| Тип. время нарастания | 66 ns |
| Pulsed current | -110A |
| Ном. напряжение | -55V |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Описание | MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC |
| Лавинный ток | -16A |
| Рассеиваемая мощность | 110W |
| Current rating 25c | -31A |
| Структура | P-канал |
| Current rating 100c | -22A |
| Total gate charge qg | 63 nC |
| Avalanche current iar | -16A |
| Gate drain charge max | 29 nC |
| Gate drain charge qgd | 29 nC |
| Тип. входная емкость | 1200 pF |
| Pulsed source current | -110A |
| Температура пайки | 300 °C for 10 seconds (1.6mm from case) |
| Заряд затвора макс. | 63 nC |
| Gate source charge max | 13 nC |
| Gate source charge qgs | 13 nC |
| Input capacitance ciss | 1200 pF |
| Коэффициент снижения мощности | 0.71 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 520 pF |
| Время задержки вкл. тип. | 14 ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Output capacitance coss | 520 pF |
| Время задержки выкл. тип. | 39 ns |
| Peak diode recovery dvdt | -5.0 V/ns |
| Power dissipation pd 25c | 110W |
| Pulsed drain current idm | -110A |
| Turn on delay time td on | 14 ns |
| Continuous source current | -31A |
| Напр. диода макс. | -1.3V |
| Diode forward voltage vsd | -1.3V |
| Drain source voltage vdss | -55V |
| Pulsed source current ism | -110A |
| Макс. время обрат. восстановления | 110 ns |
| Reverse recovery time trr | 71 ns typ, 110 ns max |
| Тип. время восст. | 71 ns |
| Температура пайки макс. | 300°C (for 10 seconds, 1.6mm from case) |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -2.0V |
| Turn off delay time td off | 39 ns |
| Энергия лавины | 11mJ |
| Reverse recovery charge max | 250 nC |
| Reverse recovery charge qrr | 170 nC typ, 250 nC max |
| Тип. заряд восст. | 170 nC |
| Continuous source current is | -31A |
| Forward transconductance gfs | 8.0 S |
| Forward transconductance min | 8.0 S |
| Internal drain inductance ld | 4.5 nH |
| Gate threshold voltage vgs th | -2.0 to -4.0 V |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5 nH |
| Internal source inductance ls | 7.5 nH |
| Энергия одиноч. импульса | 280mJ |
| Internal source inductance typ | 7.5 nH |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175 °C |
| Continuous drain current id 25c | -31A |
| Gate source leakage forward max | 100 nA |
| Gate source leakage reverse max | -100 nA |
| Repetitive avalanche energy ear | 11 mJ |
| Continuous drain current id 100c | -22A |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | -25 µA |
| Gate source forward leakage igss | 100 nA at VGS=20V |
| Gate source reverse leakage igss | -100 nA at VGS=-20V |
| Обр. проходная емкость тип. | 250 pF |
| Thermal resistance case sink typ | 0.50 °C/W |
| Drain source leakage current 150c | -250 µA |
| Drain source leakage current idss | -25 µA at VDS=-55V, VGS=0V; -250 µA at VDS=-44V, VGS=0V, TJ=150°C |
| Reverse transfer capacitance crss | 250 pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 280 mJ |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.034 V/°C |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -55V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Thermal resistance junction case max | 1.4 °C/W |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | -55V |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 0.06 Ω |
| Thermal resistance case to sink rthcs | 0.50 °C/W |
| Thermal resistance junction ambient max | 62 °C/W |
| Static drain source on resistance rds on | 0.06 Ω |
| Thermal resistance junction to case rthjc | 1.4 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62 °C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Напряжение, В | 55 |
| Ток, А | 31 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?