Документация
Транзистор IRF5210STRLPBF
У поставщика
У поставщиков
8 шт.
Норм. уп.: 20
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 87,21 |
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:8 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 108,92 |
| от 20 | 108,92 |
Описание
Транзистор IRF5210STRLPBF от Infineon — это P-канальный полевой MOSFET, выполненный в поверхностном монтаже. Компонент предназначен для высокоскоростной коммутации в цепях с напряжением до 100 В. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой нагрузочной способности, он широко применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и силовых нагрузочных ключах.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Power MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 40 А |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 55ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 63ns |
| Артикул | IRF5210STRLPBF |
| Мощность, Вт | 200 |
| Лавинный ток | -23A |
| Заряд сток-затвор | 81nC typ, 120nC max |
| Вх. емкость | 2780pF |
| Полный заряд затвора | 150nC typ, 230nC max |
| Заряд затвор-исток | 22nC typ, 33nC max |
| Выходная емкость | 800pF |
| Время задержки включения | 14ns |
| Структура | P-канал |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to 150°C |
| Время задержки выключения | 72ns |
| Напряжение сток-исток | -100V |
| Импульсный ток стока | -140A |
| Напряжение, В | 100 В |
| Напр. диода | -1.6V |
| Время обратного восстановления | 170ns typ, 260ns max |
| Температура пайки | 300°C for 10s (1.6mm from case) |
| Gate threshold voltage | -2.0V to -4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.3W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 1180nC typ, 1770nC max |
| Прямая крутизна | 9.5S min |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -7.4V/ns |
| Drain source on resistance | 60mΩ max |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100nA max at VGS=20V |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100nA max at VGS=-20V |
| Энергия лавины | 17mJ |
| Длительный ток стока 25°C | -38A |
| Обратная проходная емкость | 430pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | -24A |
| Энергия одиноч. импульса | 120mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -100V |
| Max power dissipation case 25c | 170W |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Pulsed source current body diode | -140A |
| Max power dissipation ambient 25c | 3.1W |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.11V/°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.75°C/W max |
| Zero gate voltage drain current 25c | -50µA |
| Continuous source current body diode | -38A |
| Zero gate voltage drain current 125c | -250µA |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W max |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?