Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 476 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 506 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 61,00 |
| от 36 | 56,20 |
| от 100 | 52,28 |
| от 150 | 49,34 |
| от 300 | 47,13 |
Склад 12
В наличии:970 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 250 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 52,79 |
| от 25 | 41,80 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от производителя Vishay. Модель рассчитана на напряжение 100 В, ток 9,2 А и мощность 60 Вт, выпускается в стандартном корпусе TO-220AB. Подходит для использования в импульсных источниках питания, цепях управления нагрузкой и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Мощность, Вт | 60 |
| Канал (N/P) | N-Channel |
| Ток, А | 9,2 |
| Корпус | TO-220AB |
| Макс. Vds | 100V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Напряжение, В | 100 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 20ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 30ns |
| Сопротивление | 0.27Ω |
| Технология | MOSFET |
| Ёмкость | 360pF (Ciss), 150pF (Coss), 34pF (Crss) |
| Описание | N-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRF520PBF |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Конфигурация | Single |
| Тип. время спада | 20ns |
| Тип. время нарастания | 30ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Время пайки | 10s |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Заряд сток-затвор | 7.7nC |
| Вх. емкость | 360pF |
| Темп. диапазон | -55°C to 175°C |
| Полный заряд затвора | 16nC |
| Body diode voltage | 1.8V |
| Заряд затвор-исток | 4.4nC |
| Выходная емкость | 150pF |
| R ds on conditions | Vgs=10V, Id=5.5A |
| Время задержки включения | 8.8ns |
| Структура | N-канал |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Импульсный ток стока | 37A |
| Gate drain charge max | 7.7nC |
| Тип. входная емкость | 360pF |
| Мощн. рас. 25°C | 60W |
| Температура пайки | 300°C |
| Заряд затвора макс. | 16nC |
| Gate source charge max | 4.4nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.40W/°C |
| Выходная емкость тип. | 150pF |
| Время задержки вкл. тип. | 8.8ns |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 19ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 2.7S |
| Gate leakage current max | ±100nA |
| Body diode pulsed current | 37A |
| Drain leakage current 25c | 25μA |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Maximum power dissipation | 60W |
| Макс. раб. темп. | 175°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.5V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Drain leakage current 150c | 250μA |
| Drain source on resistance | 0.27Ω |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 6.0mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 9.2A |
| Forward transconductance min | 2.7S |
| Pulsed diode forward current | 37A |
| Repetitive avalanche current | 9.2A |
| Обратная проходная емкость | 34pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB |
| Body diode continuous current | 9.2A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 6.5A |
| Gate source threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Энергия одиноч. импульса | 200mJ |
| Body diode forward voltage max | 1.8V |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Макс. Rси вкл. | 0.27Ω |
| Internal source inductance typ | 7.5nH |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W typ |
| Zero gate voltage drain current | 25μA (VDS=100V), 250μA (VDS=80V, TJ=150°C) |
| Body diode reverse recovery time | 110ns typ / 260ns max |
| Обр. проходная емкость тип. | 34pF |
| Body diode reverse recovery charge | 0.53μC typ / 1.3μC max |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 100V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.5°C/W max |
| Body diode reverse recovery time max | 260ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 110ns |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 175°C |
| Continuous source drain diode current | 9.2A |
| Body diode reverse recovery charge max | 1.3μC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 0.53μC |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W max |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 2.5°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?