Документация
Транзистор IRF510PBF
У поставщика
У поставщиков
1 515 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 515 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 66,04 |
| от 35 | 60,89 |
| от 100 | 56,67 |
| от 150 | 53,51 |
| от 300 | 51,14 |
Описание
Транзистор IRF510PBF производства Vishay — это мощный полевой MOSFET-транзистор с изолированным затвором, выполненный в корпусе TO-220AB. Компонент предназначен для применения в высокоскоростных импульсных источниках питания и схемах управления двигателями. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой устойчивостью к лавинному пробою.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 9.4ns |
| Время нарастания | 16ns |
| Channel type | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Соотв. RoHS | Yes (Pb-free version) |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Заряд сток-затвор | 3.8nC |
| Вх. емкость | 180pF |
| Полный заряд затвора | 8.3nC |
| Body diode voltage | 2.5V (max) |
| Заряд затвор-исток | 2.3nC |
| Выходная емкость | 81pF |
| Время задержки включения | 6.9ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 15ns |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Импульсный ток стока | 20A |
| Коэффициент снижения мощности | 0.29W/°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 1.3S |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Maximum power dissipation | 43W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.5V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 4.3mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 5.6A |
| Pulsed diode forward current | 20A |
| Repetitive avalanche current | 5.6A |
| Обратная проходная емкость | 15pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| Непрерывный ток стока 100°C | 4.0A |
| Gate source threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Энергия одиноч. импульса | 100mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W |
| Zero gate voltage drain current | 25µA (at 100V), 250µA (at 80V, 150°C) |
| Body diode reverse recovery time | 100ns (typ), 200ns (max) |
| Drain source on state resistance | 0.54Ω (max) at VGS=10V, ID=3.4A |
| Body diode reverse recovery charge | 0.44µC (typ), 0.88µC (max) |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 3.5°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Continuous source drain diode current | 5.6A |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?