Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRF4905PBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 55В, 74А, 200Вт, корпус TO-220-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 000 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 640 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 71,42 |
| от 25 | 47,61 |
| от 250 | 44,29 |
Описание
Полевой P-канальный MOSFET-транзистор производства Infineon Technologies. Рассчитан на напряжение сток-исток до 55 В и ток стока 74 А при мощности рассеивания 200 Вт. Выполнен в стандартном корпусе TO-220-3, предназначен для коммутации нагрузки и управления питанием в силовых цепях.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Power MOSFET |
| Наименование изделия | IRF4905PbF |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | -74 А |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 96ns |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 3 |
| Время нарастания | 99ns |
| Производитель | Infineon Technologies |
| On resistance | 0.02Ω max @ VGS=-10V, ID=-38A |
| Коэф. сниж. | 1.3W/°C |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Мощность, Вт | 200 |
| Лавинный ток | -38A |
| Заряд сток-затвор | 86nC |
| Вх. емкость | 3400pF |
| Рассеиваемая мощность | 200W |
| Полный заряд затвора | 180nC |
| Заряд затвор-исток | 32nC |
| Выходная емкость | 1400pF |
| Время задержки включения | 18ns |
| Время задержки выключения | 61ns |
| Напряжение сток-исток | -55V |
| Импульсный ток стока | -260A |
| Напряжение, В | -55 В |
| Напр. диода | -1.6V max |
| Pulsed source current | -260A |
| Время обратного восстановления | 89ns typ, 130ns max |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Gate threshold voltage | -2.0V to -4.0V |
| Заряд обратного восстановления | 230nC typ, 350nC max |
| Прямая крутизна | 21S |
| Peak diode recovery dvdt | -5.0V/ns |
| Continuous source current | -74A |
| Gate source voltage range | ±20V |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Gate source leakage current | 100nA max forward; -100nA max reverse |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +175°C |
| Энергия лавины | 20mJ |
| Длительный ток стока 25°C | -74A |
| Drain source leakage current | -25µA max @ VDS=-55V; -250µA @ VDS=-44V, TJ=150°C |
| Обратная проходная емкость | 640pF |
| Thermal resistance case sink | 0.50°C/W typ |
| Непрерывный ток стока 100°C | -52A |
| Энергия одиноч. импульса | 930mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -55V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.75°C/W max |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W max |
| Breakdown voltage temperature coefficient | -0.05V/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?