Документация
Транзистор полевой IRF4905PBF / P-канал, TO-220, 74А, 55В
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
6 922 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 544 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 60,04 |
| от 150 | 56,02 |
| от 250 | 53,30 |
| от 500 | 50,92 |
| от 1 000 | 49,32 |
Склад 38
В наличии:1 000 шт.
Срок поставки: до 24 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 50,76 |
Склад 14
В наличии:378 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 50 | 51,04 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) P-канала от Infineon, выполненный в корпусе TO-220. Предназначен для коммутации нагрузок с рабочим напряжением до 55 В и током до 74 А. Отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность в цепях управления питанием и преобразователях.
Технические характеристики
| V dss | -55V |
| Тип | MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| R ds on | 0.02Ω |
| R th cs | 0.50 °C/W |
| R th ja | 62 °C/W |
| R th jc | 0.75 °C/W |
| V gs th | -2.0 to -4.0V |
| Тип монтажа | Выводной |
| T f fall | 96 ns |
| T r rise | 99 ns |
| V(BR)DSS | -55V |
| V gs max | ±20V |
| Без свинца | Да |
| I d pulsed | -260A |
| Описание | HEXFET Power MOSFET, P-Channel, Fifth Generation |
| Артикул | IRF4905PbF |
| Channel type | P-Channel |
| T d on delay | 18 ns |
| I dss leakage | -25 µA (max), -250 µA at 150°C |
| T d off delay | 61 ns |
| T j operating | -55 to +175 °C |
| T stg storage | -55 to +175 °C |
| Dv br dss dt j | -0.05 V/°C |
| Fast switching | Да |
| Avalanche rated | Да |
| E ar repetitive | 20 mJ |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Мощность, Вт | 200 |
| E as single pulse | 930 mJ |
| I d continuous 25c | -74A |
| I d continuous 100c | -52A |
| Dynamic dv dt rating | Да |
| Напряжение, В | -55 В |
| I gss forward leakage | 100 nA |
| I gss reverse leakage | -100 nA |
| Мощн. рас. 25°C | 200W |
| Q g total gate charge | 180 nC |
| Температура пайки | 300 °C (10s, 1.6mm from case) |
| I ar avalanche current | -38A |
| Коэффициент снижения мощности | 1.3 W/°C |
| Q gd gate drain charge | 86 nC |
| C iss input capacitance | 3400 pF |
| Q gs gate source charge | 32 nC |
| C oss output capacitance | 1400 pF |
| Dv dt peak diode recovery | -5.0 V/ns |
| Макс. раб. темп. | 175°C |
| T on forward turn on time | negligible |
| I sm pulsed source current | -260A |
| T rr reverse recovery time | 89 ns (typ), 130 ns (max) |
| V sd diode forward voltage | -1.6V |
| Q rr reverse recovery charge | 230 nC (typ), 350 nC (max) |
| G fs forward transconductance | 21 S |
| I s continuous source current | -74A |
| L d internal drain inductance | 4.5 nH |
| L s internal source inductance | 7.5 nH |
| C rss reverse transfer capacitance | 640 pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?