Документация
Транзистор IRF4905PBF
В наличии
На своём складе
359 шт.
Норм. уп.: 50
У поставщиков
6 575 шт.
Норм. уп.: 50
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 33,12 |
| от 20 | 32,20 |
| от 40 | 31,27 |
| от 80 | 30,57 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:5 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 33,12 |
| от 20 | 32,20 |
| от 40 | 31,27 |
| от 80 | 30,57 |
Склад 13
В наличии:6 570 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 55,81 |
| от 150 | 52,06 |
| от 250 | 49,54 |
| от 500 | 47,33 |
| от 1 000 | 45,84 |
Описание
Транзистор IRF4905PBF от Infineon — мощный P-канальный MOSFET. Работает при напряжении до 55 В и токе до 74 А, сопротивление в открытом состоянии всего 0,02 Ом. Выпускается в корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания, схем управления двигателями и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Сопротивление сток-исток | 0.02Ω |
| Корпус | TO-220AB |
| Макс. Vds | -55V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 96 ns |
| Ток стока импульсный | -260A |
| Время нарастания | 99 ns |
| Размеры | TO-220AB standard |
| Vgs порог макс. | -4.0V |
| Vgs порог мин. | -2.0V |
| Артикул | IRF4905PBF |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Rds on condition | VGS=-10V, ID=-38A |
| Лавинный ток | -38A |
| Ток стока непрерывный 25C | -74A |
| Вх. емкость | 3400 pF |
| Рассеиваемая мощность | 200W |
| Полный заряд затвора | 180 nC |
| Непрерывный ток 100°C | -52A |
| Выходная емкость | 1400 pF |
| Время задержки включения | 18 ns |
| Время задержки выключения | 61 ns |
| Gate leakage forward | 100 nA |
| Gate leakage reverse | -100 nA |
| Gate to drain charge | 86 nC |
| Напр. диода | -1.6V |
| Gate to source charge | 32 nC |
| Время обратного восстановления | 89 ns (typ), 130 ns (max) |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Коэффициент снижения мощности | 1.3W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 230 nC (typ), 350 nC (max) |
| Прямая крутизна | 21 S |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Drain leakage current 25c | -25 µA |
| Internal drain inductance | 4.5 nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.0 V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Drain leakage current 150c | -250 µA |
| Internal source inductance | 7.5 nH |
| Энергия лавины | 20 mJ |
| Обратная проходная емкость | 640 pF |
| Энергия одиноч. импульса | 930 mJ |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50 °C/W |
| Pulsed source current body diode | -260A |
| Drain to source breakdown voltage | -55V |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.05 V/°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.75 °C/W |
| Continuous source current body diode | -74A |
| Термосопротивление переход-среда | 62 °C/W |