Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
59 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:59 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 145,14 |
| от 6 | 142,59 |
| от 12 | 139,16 |
| от 23 | 133,96 |
| от 50 | 126,19 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Infineon. Выдерживает напряжение до 40 В и ток до 75 А, выпускается в корпусе D2Pak (TO-263). Подходит для мощных импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| V dss | 40V |
| Tf тип. | 77ns |
| Tr тип. | 130ns |
| Gfs тип. | 63S |
| P d max | 140W |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Тип. Ciss | 3000pF |
| Тип. Crss | 380pF |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. Tstg | 175°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| V gs max | ±20V |
| V sd max | 1.3V |
| Td(вкл) тип. | 16ns |
| Td(выкл) тип. | 38ns |
| Coss typ 1v | 2160pF |
| I dm pulsed | 470A |
| I sm pulsed | 470A |
| Артикул | IRF4104SPBF |
| R ds on max | 5.5mΩ |
| R ds on typ | 4.3mΩ |
| R th cs typ | 0.50°C/W |
| R th ja typ | 62°C/W |
| R th jc max | 1.05°C/W |
| V gs th max | 4.0V |
| V gs th min | 2.0V |
| Coss eff typ | 850pF |
| Coss typ 25v | 660pF |
| Coss typ 32v | 560pF |
| V br dss min | 40V |
| I dss max 25c | 20µA |
| I dss max 125c | 250µA |
| I s continuous | 75A |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Макс. температура перехода | 175°C |
| Tj operating min | -55°C |
| I gss forward max | 200nA |
| I gss reverse max | -200nA |
| Gate charge gd typ | 27nC |
| Gate charge gs typ | 21nC |
| Qrr body diode max | 10nC |
| Qrr body diode typ | 6.8nC |
| Trr body diode max | 35ns |
| Trr body diode typ | 23ns |
| I d continuous 100c | 84A |
| Gate charge total max | 100nC |
| Gate charge total typ | 68nC |
| R th ja pcb mount typ | 40°C/W |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| E as single pulse tested | 220mJ |
| Delta v br dss temp coeff | 0.032 V/°C |
| I d continuous 25c package | 75A |
| I d continuous 25c silicon | 120A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Internal source inductance typ | 7.5nH |
| E as single pulse thermally limited | 120mJ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?