Документация
Транзистор IRF3808PBF
Нет в наличии
Описание
Транзистор IRF3808PBF от International Rectifier — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220AB с монтажом в отверстия. Рассчитан на импульсный ток стока до 550 А и рассеиваемую мощность 330 Вт, технология HEXFET обеспечивает малое сопротивление и быстрое переключение. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | Power MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | HEXFET |
| Артикул | IRF3808PbF |
| Тип. время спада | 120ns |
| Тип. время нарастания | 140ns |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Лавинный ток | 82A |
| Импульсный ток стока | 550A |
| Тип. входная емкость | 5310pF |
| Мощн. рас. 25°C | 330W |
| Заряд затвора макс. | 220nC |
| Тип. заряд затвора | 150nC |
| Gate source charge max | 47nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 31nC |
| Коэффициент снижения мощности | 2.2W/°C |
| Выходная емкость тип. | 890pF |
| Время задержки вкл. тип. | 16ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 68ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 75V |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.5V/ns |
| Pulsed source current max | 550A |
| Макс. время обрат. восстановления | 140ns |
| Тип. время восст. | 93ns |
| Soldering temperature 10s | 300°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Reverse recovery charge max | 510nC |
| Тип. заряд восст. | 340nC |
| Длительный ток стока 25°C | 140A |
| Forward transconductance min | 100S |
| Gate drain miller charge max | 76nC |
| Gate drain miller charge typ | 50nC |
| Output capacitance vds1v typ | 6010pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | 97A |
| Continuous source current max | 140A |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Output capacitance vds60v typ | 570pF |
| Энергия одиноч. импульса | 430mJ |
| Internal source inductance typ | 7.5nH |
| Gate source leakage forward max | 200nA |
| Gate source leakage reverse max | -200nA |
| Effective output capacitance typ | 1140pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 130pF |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 75V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тип. тепловое сопротивление корпус-радиатор | 0.50°C/W |
| Drain source leakage current max 25c | 20µA |
| Drain source leakage current max 150c | 250µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 7.0mΩ |
| Тип. сопротивление сток-исток | 5.9mΩ |
| Breakdown voltage temp coefficient typ | 0.086V/°C |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 0.45°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
| Тип транзистора | Power MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?