Документация
Транзистор полевой IRF3808PBF / N-канал, TO-220, 140А, 75В
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
12 483 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 883 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 144,26 |
| от 50 | 136,18 |
| от 150 | 130,77 |
| от 250 | 126,01 |
| от 450 | 122,80 |
Склад 12
В наличии:3 600 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 300 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 113,85 |
| от 30 | 90,85 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) N-канального типа производства Infineon. Компонент выполнен в распространённом корпусе TO-220 и рассчитан на высокие рабочие токи при напряжении до 75 В. Предназначен для применения в силовых цепях, импульсных источниках питания и преобразователях, где требуется низкое сопротивление канала и эффективное управление.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Особенности | Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance, Dynamic dv/dt Rating, 175°C Operating Temperature, Fast Switching, Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 120ns (typ) |
| Время нарастания | 140ns (typ) |
| Rds(вкл) макс. | 7.0mΩ |
| Rds(вкл) тип. | 5.9mΩ |
| Vgs порог макс. | 4.0V |
| Vgs порог мин. | 2.0V |
| Описание | Automotive MOSFET, N-Channel, HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRF3808PbF |
| Применение | Integrated Starter Alternator, 42 Volts Automotive Electrical Systems |
| Тип. время спада | 120ns |
| Тип. время нарастания | 140ns |
| Момент затяжки | 10lbf·in (1.1N·m) |
| Лавинный ток | 82A |
| Rds on conditions | Vgs=10V, Id=82A |
| Полный заряд затвора | 220nC (max) @ ID=82A, VDS=60V, VGS=10V |
| Заряд затвор-исток | 47nC (max) |
| Время задержки включения | 16ns (typ) |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 68ns (typ) |
| Импульсный ток стока | 550A |
| Напр. диода | 1.3V (max) @ IS=82A, VGS=0V, TJ=25°C |
| Gate drain charge max | 76nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 50nC |
| Тип. входная емкость | 5310pF |
| Мощн. рас. 25°C | 330W |
| Макс. рассеиваемая мощность | 330W |
| Время обратного восстановления | 140ns (max) @ TJ=25°C, IF=82A, di/dt=100A/µs |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Заряд затвора макс. | 220nC |
| Тип. заряд затвора | 150nC |
| Gate source charge max | 47nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 31nC |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Input capacitance ciss | 5310pF (typ) @ VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz |
| Коэффициент снижения мощности | 2.2W/°C |
| Выходная емкость тип. | 890pF |
| Время задержки вкл. тип. | 16ns |
| Gate source leakage max | 200nA |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Output capacitance coss | 890pF (typ) @ VDS=25V; 6010pF @ VDS=1V; 570pF @ VDS=60V |
| Заряд обратного восстановления | 510nC (max) @ TJ=25°C, IF=82A, di/dt=100A/µs |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 68ns |
| Drain source leakage max | 20µA |
| Макс. напряжение сток-исток | 75V |
| Drain source voltage vds | 75V |
| Прямая крутизна | 100S (min) |
| Gate drain charge miller | 76nC (max) |
| Peak diode recovery dvdt | 5.5V/ns |
| Pulsed drain current max | 550A |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Internal drain inductance | 4.5nH (typ) |
| Output capacitance 1v typ | 6010pF |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.5V/ns |
| Pulsed source current max | 550A |
| Макс. время обрат. восстановления | 140ns |
| Тип. время восст. | 93ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Internal source inductance | 7.5nH (typ) |
| Output capacitance 60v typ | 570pF |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 200nA @ VGS=20V |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -200nA @ VGS=-20V |
| Энергия лавины | See Fig.12a, 12b, 15, 16 |
| Reverse recovery charge max | 510nC |
| Тип. заряд восст. | 340nC |
| Длительный ток стока 25°C | 140A |
| Drain source leakage current | 20µA @ VDS=75V, VGS=0V; 250µA @ VDS=60V, TJ=150°C |
| Forward transconductance typ | 100S |
| Repetitive avalanche current | 82A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 97A |
| Continuous source current max | 140A |
| Drain source leakage 150c max | 250µA |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Энергия одиноч. импульса | 430mJ |
| Soldering temperature max 10s | 300°C |
| Напряжение пробоя сток-исток | 75V (min) |
| Internal source inductance typ | 7.5nH |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W (typ) |
| Effective output capacitance typ | 1140pF |
| Pulsed source current body diode | 550A |
| Обр. проходная емкость тип. | 130pF |
| Reverse transfer capacitance crss | 130pF (typ) @ VDS=25V |
| Static drain source on resistance | 7.0mΩ (max) @ VGS=10V, ID=82A |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.086V/°C |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тип. тепловое сопротивление корпус-радиатор | 0.50°C/W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.45°C/W (max) |
| Continuous source current body diode | 140A |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Effective output capacitance coss eff | 1140pF (typ) @ VDS=0V to 60V |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W (max) |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 0.45°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 140 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?