Документация
IRF3711ZPBF, транзистор N канал 20В 92А TO220AB
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
1 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 84,87 |
| от 10 | 83,21 |
Описание
Транзистор N-канальный MOSFET от Infineon. Работает при напряжении до 20 В и токе до 92 А, рассеивает до 79 Вт. Корпус TO-220AB с монтажом в отверстия. Подходит для высокочастотных синхронных понижающих преобразователей в компьютерной технике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| FET Type | N-Channel |
| Тип монтажа | THT |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Время спада | 5.4ns (typ) |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 16ns (typ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Применение | High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Описание | MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| Время задержки включения | 12ns (typ) |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 15ns (typ) |
| Current drain pulsed | 380A |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Avalanche current max | 12A |
| Время обратного восстановления | 16ns (typ), 24ns (max) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 10V |
| Gate threshold voltage | 1.55V (min), 2.0V (typ), 2.45V (max) |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Заряд обратного восстановления | 6.0nC (typ), 9.0nC (max) |
| Voltage gate source max | ±20V |
| Power dissipation at 25C | 79W |
| Voltage drain source max | 20V |
| Power dissipation at 100C | 40W |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| On resistance vgs10v id15a | 4.8mΩ (typ), 6.0mΩ (max) |
| Diode pulsed source current | 380A |
| Input capacitance at vds10v | 2150pF (typ) |
| On resistance vgs4.5v id12a | 5.9mΩ (typ), 7.3mΩ (max) |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +175°C |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| Forward transconductance typ | 46S |
| Output capacitance at vds10v | 680pF (typ) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Diode forward voltage at is12a | 1.0V (max) |
| Current drain continuous at 25C | 92A |
| Diode continuous source current | 92A |
| Repetitive avalanche energy max | 7.9mJ |
| Current drain continuous at 100C | 65A |
| Avalanche energy single pulse max | 130mJ |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2150 pF @ 10 V |
| Thermal resistance case sink typical | 0.50°C/W |
| Thermal resistance junction case max | 1.89°C/W |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Gate threshold temperature coefficient | -5.6 mV/°C |
| Reverse transfer capacitance at vds10v | 320pF (typ) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 92A (Tc) |
| Thermal resistance junction ambient max | 62°C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.013 V/°C |
| Gate charge total at vds10v vgs4.5v id12a | 16nC (typ), 24nC (max) |
| Thermal resistance junction ambient pcb mount max | 40°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 92 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Напряжение, В | 20 |
| Ток, А | 92 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?