Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59А 160Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
185 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:185 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 201,78 |
| от 13 | 188,92 |
| от 25 | 178,43 |
| от 50 | 170,64 |
| от 100 | 164,83 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Infineon. Выдерживает напряжение до 100 В, ток до 59 А и мощность 160 Вт, выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Без свинца | Да |
| Артикул | IRF3710ZPBF |
| Тип. время спада | 56ns |
| Тип. время нарастания | 77ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Лавинный ток | см. технический паспорт |
| Импульсный ток стока | 240A |
| Тип. заряд затвор-сток | 27nC |
| Тип. входная емкость | 2900pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 160W |
| Заряд затвора макс. | 120nC |
| Тип. заряд затвора | 82nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 19nC |
| Выходная емкость тип. | 290pF |
| Время задержки вкл. тип. | 17ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 41ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 100V |
| Прямая крутизна | 35S |
| Макс. время обрат. восстановления | 75ns |
| Тип. время восст. | 50ns |
| Температура пайки макс. | 300°C (1.6mm from case) |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Энергия лавины | limited by T_jmax |
| Reverse recovery charge max | 160nC |
| Тип. заряд восст. | 100nC |
| Длительный ток стока 25°C | 59A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB, 160W |
| Непрерывный ток стока 100°C | 42A |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Body diode forward voltage max | 1.3V |
| Макс. Rси вкл. | 18mΩ |
| Drain source on resistance typ | 14mΩ |
| Internal source inductance typ | 7.5nH |
| Gate source leakage forward max | 200nA |
| Gate source leakage reverse max | -200nA |
| Effective output capacitance typ | 280pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 150pF |
| Thermal resistance case sink typ | 0.50°C/W |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 100V |
| Drain source leakage current max 25c | 20µA |
| Single pulse avalanche energy tested | 200mJ |
| Thermal resistance junction case max | 0.92°C/W |
| Drain source leakage current max 125c | 250µA |
| Thermal resistance junction ambient max | 62°C/W |
| Thermal resistance junction ambient pcb max | 40°C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient typ | 0.10V/°C |
| Single pulse avalanche energy thermally limited | 170mJ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?