Документация
Транзистор IRF3205ZPBF
У поставщика
У поставщиков
575 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:575 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 75,56 |
| от 30 | 69,83 |
| от 50 | 65,14 |
| от 150 | 61,63 |
| от 250 | 59,01 |
Описание
Транзистор IRF3205ZPBF от Infineon — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220. Отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность при больших токах нагрузки. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и цепях управления двигателями.
Технические характеристики
| I d | 75A |
| V dss | 55V |
| Серия | HEXFET Power MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| R ds on | 6.5mΩ |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 67ns |
| Время нарастания | 95ns |
| Описание | Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance, 175°C Operating Temperature, Fast Switching, Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax |
| Артикул | IRF3205Z |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Варианты корпуса | TO-220AB, D2Pak, TO-262 |
| Лавинный ток | See Fig.12a, 12b, 15, 16 A |
| Вх. емкость | 3450pF |
| Полный заряд затвора | 76nC typ, 110nC max |
| Выходная емкость | 550pF |
| Время задержки включения | 18ns |
| Время задержки выключения | 45ns |
| Forward turn on time | Intrinsic turn-on time is negligible |
| Импульсный ток стока | 440A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Gate to source charge | 21nC |
| Время обратного восстановления | 28ns typ, 42ns max |
| Температура пайки | 300°C (1.6mm from case, for 10 seconds) |
| Gate threshold voltage | 2.0V min, 4.0V max |
| Gate to source voltage | ±20V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.1 W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 25nC typ, 38nC max |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 71S |
| Power dissipation tc 25c | 170W |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Output capacitance vds 1v | 1940pF |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Output capacitance vds 44v | 430pF |
| Gate to drain miller charge | 30nC |
| Энергия лавины | mJ |
| Effective output capacitance | 640pF |
| Обратная проходная емкость | 310pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB, 170W |
| Gate to source forward leakage | 200nA |
| Gate to source reverse leakage | -200nA |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Drain to source leakage current | 20μA max at 25°C, 250μA max at 125°C |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50 °C/W |
| Continuous drain current tc 100c | 78A |
| Pulsed source current body diode | 440A |
| Drain to source breakdown voltage | 55V |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.051 V/°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.90 °C/W |
| Continuous source current body diode | 75A |
| Single pulse avalanche energy tested | 250mJ |
| Static drain to source on resistance | 4.9mΩ typ, 6.5mΩ max |
| Термосопротивление переход-среда | 62 °C/W |
| Continuous drain current tc 25c package limited | 75A |
| Continuous drain current tc 25c silicon limited | 110A |
| Single pulse avalanche energy thermally limited | 180mJ |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 40 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?