Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRF3205PBF, транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 110А, 200Вт, корпус TO220-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
8 384 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 484 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 35,51 |
| от 200 | 32,81 |
| от 400 | 30,99 |
| от 800 | 29,39 |
| от 1 600 | 28,34 |
Склад 12
В наличии:1 900 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 1100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 41,40 |
| от 25 | 27,43 |
| от 250 | 25,45 |
Склад 38
В наличии:1 000 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 29,93 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от Infineon Technologies. Модель IRF3205PBF предназначена для силовой электроники и коммутации высоких токов. Выполнена в стандартном корпусе TO220-3, что удобно для монтажа на радиатор. Подходит для применения в преобразователях напряжения, драйверах двигателей и импульсных источниках питания.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 110 А |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 65ns |
| Время нарастания | 101ns |
| Описание | HEXFET Power MOSFET, N-Channel |
| Артикул | IRF3205PBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Момент затяжки | 10lbf·in |
| Мощность, Вт | 200 |
| Лавинный ток | 62A |
| Заряд сток-затвор | 54nC |
| Вх. емкость | 3247pF |
| Рассеиваемая мощность | 200W |
| Полный заряд затвора | 146nC |
| Заряд затвор-исток | 35nC |
| Выходная емкость | 781pF |
| Время задержки включения | 14ns |
| Время задержки выключения | 50ns |
| Voltage gate source | ±20V |
| Current drain pulsed | 390A |
| Diode recovery dv dt | 5.0V/ns |
| Voltage drain source | 55V |
| Напряжение, В | 55 В |
| Напр. диода | 1.3V |
| Время обратного восстановления | 69ns |
| Температура пайки | 300°C |
| Source current pulsed | 390A |
| Коэффициент снижения мощности | 1.3W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 143nC |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Прямая крутизна | 44S |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Source current continuous | 110A |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Resistance drain source on | 8.0mΩ |
| Прямой ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Энергия лавины | 20mJ |
| Current drain continuous 25c | 110A |
| Drain source leakage current | 25µA |
| Обратная проходная емкость | 211pF |
| Thermal resistance case sink | 0.50°C/W |
| Avalanche energy single pulse | 264mJ |
| Current drain continuous 100c | 80A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.75°C/W |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.057V/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?