Документация
Транзистор IRF3205PBF
У поставщика
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 39,00 |
| от 30 | 36,49 |
| от 60 | 35,23 |
| от 120 | 33,47 |
Описание
Транзистор полевой IRF3205PBF от Infineon. Работает с напряжением до 55 В и током до 110 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Выполнен в корпусе TO-220. Применяется в импульсных блоках питания, преобразователях напряжения и автомобильной электронике.
Технические характеристики
| Тип | Power MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Макс. Vds | 55V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| G fs typ | 44S |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | IRF3205PBF |
| Ток стока импульсный | 390A |
| Без свинца | Да |
| Rds(вкл) макс. | 8.0mΩ |
| Технология | Advanced Process Technology |
| Vgs порог макс. | 4.0V |
| Vgs порог мин. | 2.0V |
| Артикул | IRF3205PBF |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип. время спада | 65ns |
| Тип. время нарастания | 101ns |
| Темп. пайки | 300°C for 10 seconds |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Id package limit | 75A |
| Описание | MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC |
| Лавинный ток | 62A |
| Рассеиваемая мощность | 200W |
| Rds on conditions | VGS=10V, ID=62A |
| Turn on delay typ | 14ns |
| Диапазон температур хранения | -55°C to +175°C |
| Turn off delay typ | 50ns |
| Id continuous tc25c | 110A |
| Gate leakage current | ±100nA |
| Id continuous tc100c | 80A |
| Импульсный ток стока | 390A |
| Drain leakage current | 25µA at VDS=55V, 250µA at TJ=150°C |
| Gate charge drain max | 54nC |
| Gate charge total max | 146nC |
| Gate drain charge max | 54 nC |
| Тип. входная емкость | 3247pF |
| Мощн. рас. 25°C | 200W |
| Заряд затвора макс. | 146 nC |
| Gate charge source max | 35nC |
| Gate source charge max | 35 nC |
| Коэффициент снижения мощности | 1.3W/°C |
| Выходная емкость тип. | 781pF |
| Время задержки вкл. тип. | 14 ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 50 ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 55V |
| Avalanche test conditions | TJ=25°C, L=138µH, RG=25Ω, IAS=62A |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Dv/dt peak diode recovery | 5.0V/ns |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0 V/ns |
| Макс. время обрат. восстановления | 104ns |
| Тип. время восст. | 69ns |
| Soldering temperature 10s | 300°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Условия теста емкости | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz |
| Энергия лавины | 20mJ |
| Reverse recovery charge max | 215nC |
| Тип. заряд восст. | 143nC |
| Длительный ток стока 25°C | 110A |
| Forward transconductance typ | 44 S |
| Непрерывный ток стока 100°C | 80A |
| Drain leakage current 25c max | 25 µA |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Operating junction temp range | -55°C to +175°C |
| Drain leakage current 150c max | 250 µA |
| Internal source inductance typ | 7.5nH |
| Gate source leakage current max | 100 nA |
| Repetitive avalanche energy max | 20mJ |
| Pulsed source current body diode | 390A |
| Reverse recovery test conditions | IF=62A, di/dt=100A/µs, TJ=25°C |
| Обр. проходная емкость тип. | 211pF |
| Single pulse avalanche energy max | 264mJ |
| Single pulse avalanche energy typ | 1050mJ |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 55V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Source drain diode test conditions | TJ=25°C, IS=62A, VGS=0V |
| Тип. тепловое сопротивление корпус-радиатор | 0.50°C/W |
| Continuous source current body diode | 110A |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 8.0 mΩ |
| Source drain diode forward voltage max | 1.3V |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 0.75°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
| Напряжение, В | 55 |
| Ток, А | 98 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?