Документация
Транзистор полевой IRF3007PBF / N-канал, TO-220, 75А, 75В
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
27 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:27 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 159,18 |
| от 6 | 156,47 |
| от 11 | 152,82 |
| от 21 | 147,32 |
| от 50 | 138,95 |
Описание
Полевой транзистор (MOSFET) N-канального типа от Infineon. Выполнен в корпусе TO-220, рассчитан на ток до 75 А и напряжение до 75 В. Предназначен для применения в импульсных источниках питания, DC/DC-преобразователях и цепях управления нагрузкой, где требуется высокая эффективность переключения.
Технические характеристики
| V gs | ±20V |
| T stg | -55 to +175°C |
| V dss | 75V |
| L d typ | 4.5nH |
| L s typ | 7.5nH |
| P d 25c | 200W |
| Корпус | TO-220AB |
| Q g max | 130nC |
| Q g typ | 89nC |
| T f typ | 49ns |
| T r typ | 80ns |
| G fs typ | 180S |
| I d 100c | 56A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Q gd max | 45nC |
| Q gd typ | 30nC |
| Q gs max | 32nC |
| Q gs typ | 21nC |
| Q rr max | 420nC |
| Q rr typ | 280nC |
| T rr max | 130ns |
| T rr typ | 85ns |
| V sd max | 1.3V |
| C iss typ | 3270pF |
| C oss typ | 520pF |
| C rss typ | 78pF |
| I gss max | 200nA |
| Без свинца | Да |
| T d on typ | 12ns |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | 320A |
| I sm pulsed | 320A |
| Артикул | IRF3007PbF |
| R ds on max | 12.6mΩ |
| R ds on typ | 10.5mΩ |
| R th cs typ | 0.50°C/W |
| R th ja max | 62°C/W |
| R th jc max | 0.74°C/W |
| T d off typ | 55ns |
| V gs th max | 4.0V |
| V gs th min | 2.0V |
| C oss 1v typ | 3500pF |
| V br dss min | 75V |
| C oss 60v typ | 340pF |
| C oss eff typ | 640pF |
| I dss max 25c | 20µA |
| Rr conditions | TJ=25°C, IF=48A, VDD=38V, di/dt=100A/µs |
| T j operating | -55 to +175°C |
| I dss max 150c | 250µA |
| I s continuous | 80A |
| Q g conditions | ID=48A, VDS=60V, VGS=10V |
| G fs conditions | VDS=25V, ID=48A |
| Момент затяжки | 1.1 N·m (10 lbf·in) |
| V sd conditions | TJ=25°C, IS=48A, VGS=0V |
| I dss conditions | VDS=75V, VGS=0V |
| I gss conditions | VGS=±20V |
| Лавинный ток | See Fig.12a, 12b, 15, 16 |
| E as single pulse | 280mJ |
| Dv br dss dt j typ | 0.084V/°C |
| E as 6sigma tested | 946mJ |
| R ds on conditions | VGS=10V, ID=48A |
| V gs th conditions | VDS=10V, ID=250µA |
| V br dss conditions | VGS=0V, ID=250µA |
| Switching conditions | VDD=38V, ID=48A, RG=4.6Ω, VGS=10V |
| Температура пайки | 300°C for 10s (1.6mm from case) |
| Capacitance conditions | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz |
| Коэффициент снижения мощности | 1.3W/°C |
| I d 25c package limited | 75A |
| I d 25c silicon limited | 80A |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Энергия лавины | See Fig.12a, 12b, 15, 16 |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB |
| Рабочая температура перехода | 175°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?