Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 330Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
182 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:182 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 299,49 |
| от 9 | 281,54 |
| от 18 | 266,92 |
| от 35 | 256,04 |
| от 100 | 247,94 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Infineon. Работает при напряжении до 75 В и токе до 75 А, рассеиваемая мощность — 330 Вт. Компонент выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для мощных импульсных источников питания и преобразователей напряжения.
Технические характеристики
| V gs | ±20V |
| V dss | 75V |
| Корпус | TO-220AB, D2Pak, TO-262 |
| R ds on | 4.5mΩ |
| V gs th | 2.0V min, 4.0V max |
| Тип монтажа | Выводной |
| P d tc25 | 300W |
| V(BR)DSS | 75V |
| Без свинца | Да |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| E as tested | 690mJ |
| I dm pulsed | 680A |
| Артикул | IRF2907ZPbF |
| T f fall time | 100ns |
| T j operating | -55 to +175°C |
| T r rise time | 140ns |
| T stg storage | -55 to +175°C |
| Fast switching | Да |
| R ds on static | 3.5mΩ typ, 4.5mΩ max |
| Момент затяжки | 10 lbf•in (1.1N•m) |
| E as single pulse | 270mJ |
| I d continuous tc25 | 170A |
| R thcs case to sink | 0.50°C/W |
| I d continuous tc100 | 120A |
| T d on turn on delay | 19ns |
| Delta bv dss delta tj | 0.069V/°C |
| Раб. температура | 175°C |
| Q g total gate charge | 180nC typ, 270nC max |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds (1.6mm from case) |
| I ar avalanche current | See Fig.12a,12b,15,16 A |
| Коэффициент снижения мощности | 2.0W/°C |
| T d off turn off delay | 97ns |
| C iss input capacitance | 7500pF |
| R thjc junction to case | 0.50°C/W |
| Ultra low on resistance | Да |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| C oss output capacitance | 970pF |
| T on forward turn on time | Intrinsic turn-on time is negligible |
| I sm pulsed source current | 680A |
| Q gs gate to source charge | 46nC |
| R thja junction to ambient | 62°C/W |
| T rr reverse recovery time | 41ns typ, 61ns max |
| V sd diode forward voltage | 1.3V |
| Advanced process technology | Да |
| C oss output capacitance 1v | 3640pF |
| C oss output capacitance 60v | 650pF |
| Крутизна | 180S |
| Q rr reverse recovery charge | 59nC typ, 89nC max |
| Repetitive avalanche allowed | up to Tjmax |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB |
| I dss drain to source leakage | 20µA max at 25°C, 250µA max at 125°C |
| I s continuous source current | 160A |
| L d internal drain inductance | 5.0nH |
| L s internal source inductance | 13nH |
| R thja junction to ambient pcb | 40°C/W |
| I d continuous wirebond limited | 160A |
| E ar repetitive avalanche energy | mJ |
| Q gd gate to drain miller charge | 65nC |
| C rss reverse transfer capacitance | 510pF |
| I gss gate to source forward leakage | 200nA |
| I gss gate to source reverse leakage | -200nA |
| C oss eff effective output capacitance | 1020pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?