Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 75А 290Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
44 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:44 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 133,48 |
| от 3 | 131,61 |
| от 6 | 129,08 |
| от 11 | 125,81 |
| от 21 | 121,61 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Infineon. Разработан для цепей с высокими коммутируемыми токами и низким сопротивлением открытого канала. Подходит для применения в мощных DC/DC-преобразователях, системах управления двигателями и источниках бесперебойного питания.
Технические характеристики
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| Канал (N/P) | N-Channel |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 37ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 100ns |
| Артикул | IRF2903ZPbF |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Заряд сток-затвор | 58nC |
| Вх. емкость | 6320pF |
| Полный заряд затвора | 160nC typ, 240nC max |
| Заряд затвор-исток | 51nC |
| Выходная емкость | 1980pF |
| Время задержки включения | 24ns |
| Время задержки выключения | 48ns |
| Импульсный ток стока | 1020A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Время обратного восстановления | 34ns typ, 51ns max |
| Коэффициент снижения мощности | 2.0W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 29nC typ, 44nC max |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Voltage gate source max | 20V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 120S |
| Voltage drain source max | 30V |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Output capacitance vds 1v | 5930pF |
| Soldering temperature 10s | 300°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Output capacitance vds 24v | 2010pF |
| Power dissipation case 25c | 290W |
| Gate source forward leakage | 200nA |
| Gate source reverse leakage | -200nA |
| Энергия лавины | см. технический паспорт |
| Effective output capacitance | 3050pF |
| Repetitive avalanche current | See Fig.12a, 12b, 15, 16 |
| Обратная проходная емкость | 1100pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 20µA |
| Pulsed source current body diode | 1020A |
| Drain source leakage current 125c | 250µA |
| Static drain source on resistance | 1.9mΩ typ, 2.4mΩ max |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.021V/°C |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.51°C/W |
| Continuous source current body diode | 75A |
| Single pulse avalanche energy tested | 820mJ |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Single pulse avalanche energy thermally limited | 290mJ |
| Continuous drain current case 25c package limited | 75A |
| Continuous drain current case 25c silicon limited | 260A |
| Continuous drain current case 100c silicon limited | 180A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?