Документация
Транзистор IRF2807ZPBF
У поставщика
У поставщиков
590 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:590 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 144,22 |
| от 30 | 135,42 |
| от 50 | 128,44 |
| от 150 | 122,31 |
| от 250 | 118,17 |
Описание
Транзистор Infineon IRF2807ZPBF — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия. Выдерживает напряжение до 75 В и ток до 82 А, рассеивает до 170 Вт. Отличается низким сопротивлением открытого канала и быстрым переключением. Подходит для импульсных источников питания, DC/DC-преобразователей и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Макс. Vds | 75V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 45ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 79ns |
| Pd макс. 25°C | 170W |
| Rds(вкл) макс. | 9.4mΩ |
| Технология | HEXFET |
| Vgs порог макс. | 4.0V |
| Vgs порог мин. | 2.0V |
| Артикул | IRF2807ZPBF |
| Id pulsed max | 350A |
| Rds on typical | 7.5mΩ |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Rds on condition | VGS=10V, ID=53A |
| Тип. время спада | 45ns |
| Тип. время нарастания | 79ns |
| Непрерывный ток 100°C | 63A |
| Время задержки включения | 18ns |
| Время задержки выключения | 40ns |
| Avalanche current max | See Fig. 12a,12b,15,16 |
| Gate charge total max | 110nC |
| Тип. входная емкость | 3270pF |
| Мощн. рас. 25°C | 170W |
| Заряд затвора макс. | 110nC |
| Тип. заряд затвора | 71nC |
| Gate source charge max | 29nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 19nC |
| Коэффициент снижения мощности | 1.1 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 420pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. напряжение сток-исток | 75V |
| Pulsed drain current max | 350A |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Gate charge total typical | 71nC |
| Типовая входная емкость | 3270pF |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Output capacitance vds 1v | 1590pF |
| Макс. время обрат. восстановления | 69ns |
| Тип. время восст. | 46ns |
| Soldering temperature 10s | 300°C |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Switching test conditions | Vdd=38V, Id=53A, Rg=6.2Ω, Vgs=10V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Output capacitance vds 60v | 280pF |
| Turn on delay time typical | 18ns |
| Условия теста емкости | Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 200nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -200nA |
| Энергия лавины | See note |
| Reverse recovery charge max | 120nC |
| Тип. заряд восст. | 80nC |
| Reverse recovery conditions | If=53A, Vdd=25V, di/dt=100A/µs, Tj=25°C |
| Turn off delay time typical | 40ns |
| Effective output capacitance | 440pF |
| Forward transconductance typ | 67S |
| Gate drain miller charge max | 42nC |
| Gate drain miller charge typ | 28nC |
| Gate to drain charge typical | 28nC |
| Непрерывный ток стока 100°C | 63A |
| Gate to source charge typical | 19nC |
| On resistance test conditions | Vgs=10V, Id=53A |
| Output capacitance typical 1v | 1590pF |
| Body diode forward voltage max | 1.3V |
| Напряжение пробоя сток-исток | 75V |
| Output capacitance typical 25v | 420pF |
| Output capacitance typical 60v | 280pF |
| Drain to source leakage 25c max | 20µA |
| Repetitive avalanche energy max | см. технический паспорт |
| Diode forward voltage conditions | Is=53A, Tj=25°C, Vgs=0V |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 20µA |
| Drain to source leakage 125c max | 250µA |
| Forward transconductance typical | 67S |
| Pulsed source current body diode | 350A |
| Обр. проходная емкость тип. | 240pF |
| Drain source leakage current 125c | 250µA |
| Id continuous package limited 25c | 75A |
| Id continuous silicon limited 25c | 89A |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.073 V/°C |
| Gate to source leakage forward max | 200nA |
| Gate to source leakage reverse max | -200nA |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тип. тепловое сопротивление корпус-радиатор | 0.50 °C/W |
| Body diode pulsed source current max | 350A |
| Body diode reverse recovery time max | 69ns |
| Continuous source current body diode | 89A |
| Effective output capacitance typical | 440pF |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Reverse transfer capacitance typical | 240pF |
| Single pulse avalanche energy tested | 200mJ |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 9.4mΩ |
| Тип. сопротивление сток-исток | 7.5mΩ |
| Body diode reverse recovery charge max | 120nC |
| Thermal resistance case to sink typical | 0.50 °C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 0.90 °C/W |
| Body diode continuous source current max | 89A |
| Body diode reverse recovery time typical | 46ns |
| Body diode reverse recovery charge typical | 80nC |
| Single pulse avalanche energy tested value | 200mJ |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62 °C/W |
| Continuous drain current package limited 25c | 75A |
| Continuous drain current silicon limited 25c | 89A |
| Single pulse avalanche energy thermally limited | 160mJ |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount max | 40 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?