Документация
Транзистор IRF2807PBF
У поставщика
У поставщиков
13 512 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:10 812 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 59,94 |
| от 150 | 55,91 |
| от 250 | 53,22 |
| от 500 | 50,84 |
| от 1 000 | 49,25 |
Склад 12
В наличии:2 700 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 560 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 81,77 |
| от 25 | 54,54 |
| от 250 | 50,73 |
Описание
Транзистор IRF2807PBF производства Infineon представляет собой мощный N-канальный полевой МОП-транзистор. Компонент оптимизирован для работы в цепях с высокими коммутируемыми токами и низким сопротивлением открытого канала. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и силовых нагрузочных ключах, обеспечивая эффективное управление мощностью.
Технические характеристики
| T f | 48ns |
| T r | 64ns |
| G fs | 38S |
| Q gd | 55nC |
| Q gs | 29nC |
| Q rr | 410nC typ, 610nC max |
| T rr | 100ns typ, 150ns max |
| V gs | ±20V |
| C iss | 3820pF |
| C oss | 610pF |
| C rss | 130pF |
| I dss | 25µA at 75V, 250µA at 60V/150°C |
| V dss | 75V |
| T d on | 13ns |
| I d 25c | 82A |
| P d 25c | 230W |
| Корпус | TO-220AB |
| R ds on | 13mΩ |
| R th cs | 0.50°C/W |
| R th ja | 62°C/W |
| R th jc | 0.65°C/W |
| T d off | 49ns |
| V gs th | 2.0V to 4.0V |
| I d 100c | 58A |
| Тип монтажа | Выводной |
| V(BR)DSS | 75V |
| Время спада | 48 ns |
| Q g total | 160nC |
| Время нарастания | 64 ns |
| Технология | HEXFET Power MOSFET |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | 280A |
| I sm pulsed | 280A |
| Артикул | IRF2807PbF |
| L d internal | 4.5nH |
| L s internal | 7.5nH |
| T on forward | negligible |
| I gss forward | 100nA |
| I gss reverse | -100nA |
| T j operating | -55 to +175°C |
| T stg storage | -55 to +175°C |
| I ar avalanche | 43A |
| I s continuous | 82A |
| E ar repetitive | 23mJ |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Лавинный ток | 43A |
| E as single pulse | 1280mJ |
| Заряд сток-затвор | 55 nC |
| Вх. емкость | 3820 pF |
| Полный заряд затвора | 160 nC |
| Заряд затвор-исток | 29 nC |
| Выходная емкость | 610 pF |
| Время задержки включения | 13 ns |
| V sd diode forward | 1.2V |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 49 ns |
| V br dss temp coeff | 0.074V/°C |
| Импульсный ток стока | 280A |
| Напр. диода | 1.2V |
| Pulsed source current | 280A |
| Время обратного восстановления | 100 ns typ, 150 ns max |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Gate threshold voltage | 2.0 to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.5 W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 410 nC typ, 610 nC max |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 38 S |
| Continuous source current | 82A |
| Dv dt peak diode recovery | 5.9V/ns |
| Internal drain inductance | 5.6 nH |
| Maximum power dissipation | 230W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.9 V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Internal source inductance | 4.6 nH |
| Gate source leakage current | ±100 nA |
| Энергия лавины | 23mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 82A |
| Обратная проходная емкость | 130 pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB, 200W |
| Непрерывный ток стока 100°C | 58A |
| Package limited drain current | 75A |
| Энергия одиноч. импульса | 1280 mJ |
| Drain source voltage breakdown | 75V |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50 °C/W |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 25 µA |
| Drain source leakage current 150c | 250 µA |
| Static drain source on resistance | 13 mΩ |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.65 °C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Термосопротивление переход-среда | 62 °C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.074 V/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?