Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 210А 330Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
103 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:103 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 240,74 |
| от 11 | 225,84 |
| от 21 | 213,68 |
| от 50 | 204,65 |
| от 100 | 197,92 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Infineon. Выдерживает напряжение до 40 В, ток до 210 А и мощность 330 Вт, выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для мощных импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| GFS | 120S |
| V gs | ±20V |
| V dss | 40V |
| Макс. заряд затвора | 200nC |
| Тип. заряд затвора | 130nC |
| Tf тип. | 110ns |
| Tr тип. | 140ns |
| I d 25c | 210A |
| P d 25c | 330W |
| Корпус | TO-220AB |
| Qgd max | 59nC |
| Qgd тип. | 39nC |
| Qgs max | 52nC |
| Qgs тип. | 35nC |
| Qrr max | 180nC |
| Qrr тип. | 120nC |
| T j max | +175°C |
| T j min | -55°C |
| Макс. время обратного восстановления | 100ns |
| Trr тип. | 68ns |
| Vsd макс. | 1.3V |
| Тип. Ciss | 5890pF |
| Coss тип. | 1570pF |
| Тип. Crss | 130pF |
| I d 100c | 150A |
| Тип монтажа | Выводной |
| I dss max | 20µA |
| Без свинца | Да |
| T stg max | +175°C |
| T stg min | -55°C |
| Td(вкл) тип. | 15ns |
| Ism pulsed | 850A |
| Td(выкл) тип. | 62ns |
| Coss 1v typ | 8000pF |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | 850A |
| Артикул | IRF2204PbF |
| R ds on max | 3.6mΩ |
| R ds on typ | 3.0mΩ |
| R th cs typ | 0.50°C/W |
| R th ja max | 62°C/W |
| R th jc max | 0.45°C/W |
| V gs th max | 4.0V |
| V gs th min | 2.0V |
| Coss 32v typ | 1370pF |
| Coss eff typ | 2380pF |
| Dv dt rating | Dynamic dv/dt Rating |
| Непрерывный | 210A |
| EAR повторяющийся | mJ |
| I dss 150c max | 250µA |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Avalanche rating | Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax |
| Одиночный импульс EAS | 460mJ |
| I gss forward max | 200nA |
| I gss reverse max | -200nA |
| I dss test conditions | VDS=40V, VGS=0V |
| Раб. температура | 175°C |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Коэффициент снижения мощности | 2.2 W/°C |
| R ds on test conditions | VGS=10V, ID=130A |
| V gs th test conditions | VDS=10V, ID=250µA |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB, 330W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?