+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRF1405PBF
Документация

ТРАНЗИСТОРЫ IRF1405PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 133А, 200Вт, 0.005 Ом, корпус TO-220-3

Артикул:745216
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
7 015 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 908,55 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 391,45 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 908,55 ₽
Описание

Полевой N-канальный MOSFET-транзистор IRF1405PBF от Infineon Technologies выполнен в корпусе TO-220-3. Компонент рассчитан на напряжение сток-исток 55 В и ток стока 133 А, обеспечивая низкое сопротивление открытого канала 0.005 Ом. Благодаря высокой рассеиваемой мощности 200 Вт, транзистор предназначен для силовых ключей, преобразователей напряжения и цепей управления мощной нагрузкой.

Технические характеристики
GFS69S
I s169A
L d4.5nH
L s7.5nH
Заряд затвора170нКл тип, 260нКл макс
Время спада, t_f110ns
Температура перехода-55 to +175°C
Время нарастания190ns
Энергия лавинного пробоя560mJ
Макс. импульсный ток680A
Заряд затвор-сток (Qgd)62nC typ, 93nC max
Заряд затвор-исток (Qgs)44nC typ, 66nC max
Заряд обратного восстановления250nC typ, 380nC max
Время включениянезначительный
Время обратного восстановления, t_rr88ns typ, 130ns max
Напряжение затвор-исток±20V
Напряжение V_SD1.3V
Входная ёмкость5480pF
Выходная ёмкость1210pF
Проходная ёмкость280pF
Скорость нарастания напряжения (dV/dt)5.0V/ns
Ток утечки сток-исток (IDSS)20µA
Температура хранения-55 to +175°C
V dss55V
Задержка включения13ns
ТипMOSFET
Ток, А169 А
Ток стока при 25 °C169A
Рассеиваемая мощность при 25 °C330W
КорпусTO-220AB
Сопротивление сток-исток5.3mΩ
Тепловое сопротивление RthCS0.50°C/W
Тепловое сопротивление RthJA62°C/W
Тепловое сопротивление переход-корпус0.45°C/W
Время выключения, t_d_off130ns
Пороговое напряжение затвор-исток2.0 to 4.0V
Ток стока при 100 °C118A
Тип монтажаВыводной
V(BR)DSS55V
Эффективная выходная ёмкость Coss1500pF
I gss fwd200nA
I gss rev-200nA
Без свинцаДа
C oss vds15210pF
IDSS при 150 °C250µA
C oss vds44900pF
ОписаниеHEXFET Power MOSFET, N-Channel, Stripe Planar design
Импульсный ток Idm680A
АртикулIRF1405PbF
Тип. сопротивление сток-исток4.6mΩ
ПрименениеIndustrial motor drive
Dv br dss dt j0.057V/°C
Быстрое переключениеДа
Рабочая температура-55 to +175°C
Темп. пайки300°C for 10s (1.6mm from case)
Момент затяжки10 lbf·in (1.1N·m)
Мощность, Вт330
Динамическая стойкость dV/dtДа
Repetitive avalancheallowed up to Tjmax
Напряжение, В55 В
Коэффициент снижения мощности2.2W/°C

Заметили ошибку в описании или параметрах?