Документация
Полевой транзистор IRF1405PBF
У поставщика
У поставщиков
7 585 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:7 071 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 70,22 |
| от 50 | 65,29 |
| от 150 | 61,38 |
| от 250 | 57,95 |
| от 500 | 55,64 |
Склад 14
В наличии:514 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 50 | 66,52 |
Описание
Полевой транзистор IRF1405PBF от Infineon выполнен в корпусе TO-220-3 для монтажа в отверстия. Модель рассчитана на рассеиваемую мощность до 300 Вт и рабочий диапазон температур от -55 до +175 °С. Подходит для применения в импульсных источниках питания и силовых преобразователях.
Технические характеристики
| GFS | 69S |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| V gs | ±20V |
| Мощность, Вт | 300 |
| V dss | 55V |
| Tf тип. | 110ns |
| Tr тип. | 190ns |
| I d 25c | 169A |
| В упаковке | TUBE, 50 шт. |
| P d 25c | 330W |
| Корпус | TO-220-3 |
| Qgd max | 93nC |
| Qgd тип. | 62nC |
| Qgs max | 66nC |
| Qgs тип. | 44nC |
| Qrr max | 380nC |
| Qrr тип. | 250nC |
| R ds on | 5.3mΩ |
| R th cs | 0.50°C/W |
| R th ja | 62°C/W |
| R th jc | 0.45°C/W |
| Макс. время обратного восстановления | 130ns |
| Trr тип. | 88ns |
| Vsd макс. | 1.3V |
| Тип. Ciss | 5480pF |
| Coss eff | 1500pF |
| Coss тип. | 1210pF |
| Тип. Crss | 280pF |
| I d 100c | 118A |
| Тип монтажа | Выводной |
| V(BR)DSS | 55V |
| I gss max | ±200nA |
| Td(вкл) тип. | 13ns |
| Рабочая температура | -55…+175 °С |
| Td(выкл) тип. | 130ns |
| Coss vds 1v | 5210pF |
| Описание | Automotive MOSFET HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | 680A |
| Артикул | IRF1405 |
| R ds on max | 5.3mΩ |
| R ds on typ | 4.6mΩ |
| Ton forward | negligible (dominated by LS+LD) |
| V gs th max | 4.0V |
| V gs th min | 2.0V |
| Coss vds 44v | 900pF |
| Qg total max | 260nC |
| Тип. полный заряд затвора | 170nC |
| I dss max 25c | 20µA |
| T j operating | -55 to +175°C |
| T stg storage | -55 to +175°C |
| I dss max 150c | 250µA |
| Момент затяжки | 10 lbf•in (1.1N•m) |
| E as single pulse | 560mJ |
| V br dss temp coeff | 0.057V/°C |
| Ism pulsed body diode | 680A |
| Температура пайки | 300°C for 10s (1.6mm from case) |
| Коэффициент снижения мощности | 2.2W/°C |
| Is continuous body diode | 169A |
| Dv dt peak diode recovery | 5.0V/ns |
| Ld internal drain inductance | 4.5nH |
| Ls internal source inductance | 7.5nH |
Заметили ошибку в описании или параметрах?