Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRF1404ZPBF, Транзистор полевой N-канальный кремниевый 40В 180А 200Вт Infineon Technologies
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
331 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:331 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 83,10 |
| от 16 | 81,62 |
| от 32 | 79,63 |
| от 100 | 76,84 |
| от 150 | 73,38 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор IRF1404ZPBF от Infineon Technologies выполнен по передовой технологии, обеспечивающей сверхнизкое сопротивление открытого канала. Компонент рассчитан на высокие рабочие токи и предназначен для применения в мощных DC/DC-преобразователях, системах управления двигателями и силовых ключах. Отличается высокой эффективностью и надежностью в коммутации нагрузок с напряжением до 40 В.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 58ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 110ns |
| Описание | HEXFET Power MOSFET, N-Channel, 40V, 180A, 200W |
| Артикул | IRF1404ZPBF |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Заряд сток-затвор | 42nC |
| Вх. емкость | 4340pF |
| Макс. R вкл. | 3.7mΩ |
| On resistance typ | 2.7mΩ |
| Полный заряд затвора | 100nC typ, 150nC max |
| Заряд затвор-исток | 31nC |
| Выходная емкость | 1030pF |
| Время задержки включения | 18ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 36ns |
| Напряжение сток-исток | 40V |
| Импульсный ток стока | 710A |
| Напряжение, В | 40 В |
| Напр. диода | 1.3V |
| Мощн. рас. 25°C | 200W |
| Pulsed source current | 750A |
| Время обратного восстановления | 28ns typ, 42ns max |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.3W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 34nC typ, 51nC max |
| Прямая крутизна | 170S |
| Continuous source current | 120A |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Output capacitance vds 1v | 3300pF |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Output capacitance vds 32v | 920pF |
| Gate source forward leakage | 200nA |
| Gate source reverse leakage | -200nA |
| Drain source leakage current | 20μA |
| Effective output capacitance | 1350pF |
| Repetitive avalanche allowed | up to Tjmax |
| Обратная проходная емкость | 550pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | 120A |
| Энергия одиноч. импульса | 330mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 40V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W |
| Drain source leakage current 125c | 250μA |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.033V/°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.75°C/W |
| Single pulse avalanche energy tested | 480mJ |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Continuous drain current 25c package limited | 120A |
| Continuous drain current 25c silicon limited | 180A |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 40°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?