+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRF1404PBF
Документация

IRF1404PBF, транзистор N канал 40В 162А ТО220AB

Артикул:1207102
У поставщика
ПроизводительJSMICRO
У поставщиков
14 000 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:14 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 300 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 174,52
от 3049,89
от 30049,86
Описание

Транзистор IRF1404PBF от JSMICRO — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220AB. Рассчитан на напряжение 40 В, ток до 162 А и рассеиваемую мощность 285 Вт. Подходит для импульсных источников питания, преобразователей и силовой электроники.

Технические характеристики
ТипN-Channel MOSFET
АртикулIRF1404PBF
Тип упаковкиTO-220AB
КорпусTO-220AB
Тип. время спада62ns
Тип. время нарастания20ns
Способ монтажаTHT
Avalanche energy1.5J
Лавинный ток33A
Turn on delay typ35ns
Размеры упаковкиWidth max: 10.40mm; Width min: 10.00mm; Макс. высота: 4.80mm; Height min: 4.40mm; Макс. длина: 13.65mm
Turn off delay typ45ns
СтруктураN-канал
Gate resistance typ
Импульсный ток стока800A
Voltage drain source40V
Gate charge drain typ80nC
Gate charge total typ190nC
Тип. входная емкость7000pF
Мощн. рас. 25°C285W
Gate charge source typ30nC
Выходная емкость тип.1850pF
Power dissipation 100c145W
Напряжение затвор-исток макс.±20V
Continuous diode current250A
Макс. темп. перехода175°C
Напр. диода макс.1.3V
Тип. время восст.37ns
Диап. темп. хр.-55°C to 175°C
Пороговое напряжение затвора макс.4V
Пороговое напряжение затвора мин.2V
Тип. пороговое Uзи3V
Тип. заряд восст.62nC
Длительный ток стока 25°C230A
Непрерывный ток стока 100°C162A
Макс. Rси вкл.4mΩ
Drain source on resistance typ2.3mΩ
Обр. проходная емкость тип.675pF
Thermal resistance junction case typ0.52°C/W
Thermal resistance junction ambient typ62.5°C/W
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А162

Заметили ошибку в описании или параметрах?