+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRF1404PBF
Документация

Полевой транзистор IRF1404PBF

Артикул:122093
У поставщика
ПроизводительInfineon
Ед. изм.шт
У поставщиков
8 627 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 627 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 192,39
от 10086,79
от 20083,04
от 35079,74
от 65077,51
Описание

Полевой транзистор IRF1404PBF от Infineon — мощный N-канальный MOSFET. Выдерживает напряжение до 40 В и ток до 162 А при минимальном сопротивлении открытого канала. Выполнен в корпусе TO-220. Идеально подходит для цепей питания, преобразователей напряжения и силовой электроники.

Технические характеристики
Tf33ns
Tr190ns
GFS76S
I s202A
L d4.5nH
L s7.5nH
Q g131nC to 196nC
Заряд обратного восстановления163nC to 245nC
T j-55 to +175°C
Типполевые (FETs, MOSFETs)
TRR78ns to 117ns
E as620mJ
I sm808A
Q gd37nC to 56nC
Q gs36nC
V gs±20V
V sd1.5V
C iss5669pF
C oss1659pF
C rss223pF
Dv dt1.5V/ns
I dss20µA
T stg-55 to +175°C
Td(вкл)17ns
V dss40V
Td(выкл)46ns
I d 25c202A
P d 25c333W
КорпусTO-220AB
R ds on0.004Ω
R th cs0.50°C/W
R th ja62°C/W
R th jc0.45°C/W
V gs th2.0V to 4.0V
C oss 1v6205pF
I d 100c143A
Тип монтажаВыводной
C oss 32v1467pF
C oss eff2249pF
I gss fwd200nA
I gss rev-200nA
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
I dm pulsed808A
АртикулIRF1404PBF
Темп. пайки300°C for 10s
Момент затяжки10 lbf·in (1.1N·m)
СтруктураN-канал
АвтомобильныйQ101
Раб. температура175°C
Коэффициент снижения мощности2.2W/°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А162

Заметили ошибку в описании или параметрах?