Документация
Полевой транзистор IRF1104PBF
У поставщика
У поставщиков
3 090 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 090 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 180,98 |
| от 50 | 171,25 |
| от 100 | 164,74 |
| от 200 | 159,01 |
| от 400 | 155,15 |
Описание
Полевой транзистор IRF1104PBF от Infineon — мощный MOSFET с изолированным затвором. Выдерживает напряжение до 100 В и ток до 130 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Корпус TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания, преобразователей напряжения и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 19ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 114ns |
| Технология | HEXFET |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Лавинный ток | 60A |
| Заряд сток-затвор | 30nC |
| Вх. емкость | 2900pF |
| Рассеиваемая мощность | 170W |
| Полный заряд затвора | 93nC |
| Заряд затвор-исток | 29nC |
| Выходная емкость | 1100pF |
| Время задержки включения | 15ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 28ns |
| Напряжение сток-исток | 40V |
| Импульсный ток стока | 400A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Pulsed source current | 400A |
| Время обратного восстановления | 74ns (typ), 110ns (max) |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.11W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 188nC (typ), 280nC (max) |
| Прямая крутизна | 37S |
| Continuous source current | 100A |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Gate source leakage current | 100nA (forward), -100nA (reverse) |
| Энергия лавины | 17mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 100A |
| Drain source leakage current | 25µA (at 40V), 250µA (at 32V, 150°C) |
| Обратная проходная емкость | 250pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | 71A |
| Энергия одиноч. импульса | 350mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 40V |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W |
| Static drain source on resistance | 0.009Ω |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.038V/°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.90°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?