Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 140Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
45 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:45 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 191,46 |
| от 8 | 188,77 |
| от 15 | 185,35 |
| от 30 | 180,65 |
| от 50 | 174,29 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Infineon. Работает при напряжении до 55 В, выдерживает ток до 75 А и мощность 140 Вт. Выпускается в изолированном корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| GFS | 33S |
| I s | 75A |
| L d | 4.5nH |
| L s | 7.5nH |
| Q g | 63nC |
| T f | 92ns |
| T j | -55 to +175°C |
| T r | 150ns |
| I sm | 360A |
| Q gd | 24nC |
| Q gs | 19nC |
| Q rr | 15nC |
| T rr | 22ns |
| V gs | ±20V |
| V sd | 1.3V |
| C iss | 2840pF |
| C oss | 420pF |
| C rss | 250pF |
| I dss | 20µA |
| T stg | -55 to +175°C |
| V dss | 55V |
| T d on | 18ns |
| P d 25c | 140W |
| Корпус | TO-220AB |
| Q g max | 95nC |
| R ds on | 7.5mOhm |
| R th cs | 0.50°C/W |
| R th ja | 62°C/W |
| R th jc | 1.11°C/W |
| T d off | 36ns |
| V gs th | 2.0V to 4.0V |
| I d 100c | 66A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Q rr max | 23nC |
| T rr max | 33ns |
| V(BR)DSS | 55V |
| C oss eff | 560pF |
| I dss 125c | 250µA |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| E as tested | 180mJ |
| I dm pulsed | 360A |
| Артикул | IRF1010ZPbF |
| R ds on typ | 5.8mOhm |
| R th ja pcb | 40°C/W |
| C oss vds 1v | 1630pF |
| Channel type | N-Channel |
| C oss vds 44v | 360pF |
| I gss forward | 200nA |
| I gss reverse | -200nA |
| Dv br dss dt j | 0.049V/°C |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| E as thermally limited | 130mJ |
| Коэффициент снижения мощности | 0.90W/°C |
| I d 25c package limited | 75A |
| I d 25c silicon limited | 94A |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB, 140W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?