Документация
МИКРОСХЕМЫ IR2110STRPBF, высокоскоростной двух канальный драйвер MOSFET и IGBT верхнего и нижнего плеча Infineon Technologies, корпус SOIC-16
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияДрайверы MOSFET и IGBT
У поставщиков
1 843 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт119,70 ₽
Сумма1 197,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 843 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 59 — 112,93 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 197,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 103,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 1 197,00 ₽
Описание
Микросхема IR2110STRPBF производства Infineon Technologies представляет собой высокоскоростной двухканальный драйвер для управления MOSFET и IGBT транзисторами верхнего и нижнего плеча. Компонент выполнен в компактном корпусе SOIC-16 и предназначен для построения полумостовых и мостовых преобразователей. Отличается независимыми каналами управления, встроенной защитой от сквозных токов и широким диапазоном питающих напряжений, что делает его востребованным в импульсных источниках питания и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET/IGBT Driver |
| Корпус | SOIC-16 |
| Техпроцесс | HVDCMOS 4.0 µm |
| Die area | Ag |
| Размер кристалла | 100 X 117 X 26 mil |
| Тип монтажа | SMD |
| Материалы | EME6300 / MP150 / MP190 |
| Описание | High and Low Side Driver, high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver |
| Артикул | IR2110STRPBF |
| Тип канала | High and Low Side |
| Покрытие выводов | Pb : Sn (37 : 63) |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Method of saw | Full Cut |
| Типы корпусов | 14 & 16 Lead PDIP / 16 Lead SOIC |
| Материал провода | Au (1.0 mil / 1.3 mil) |
| Количество транзисторов | 220 |
| Wire bond method | Thermo Sonic |
| First layer width | 4 µm |
| Макс. согласование задержек | 10ns |
| Материал рамки выводов | Cu |
| Logic supply range | 5 to 20V |
| Method of die bond | Ablebond 84 - 1 |
| Напряжение смещения, макс. | 500V |
| Second layer width | 6 µm |
| First layer spacing | 6 µm |
| Выходной ток втекающий | 2A |
| Connections material | Poly Silicon |
| First layer material | Al - Si (Si: 1.0% ±0.1%) |
| Толщина подзатворного окисла | 800Å |
| Second layer spacing | 9 µm |
| Напряжение, В | 500 В |
| First layer thickness | 5000Å |
| Выходной ток источника | 2A |
| Макс. время нарастания при включении | 35ns |
| Время нарастания при включении, тип. | 25ns |
| Contact hole dimension | 8 µm X 8 µm |
| Passivation material 1 | PSG (SiO2) |
| Passivation material 2 | Proprietary |
| Second layer thickness | 20000Å |
| Макс. время спада при выключении | 25ns |
| Время спада при выключении, тип. | 17ns |
| Макс. темп. окр. среды | 125°C |
| Темп. окружающей среды мин. | -40°C |
| Напряжение питания драйвера затвора | 10 to 20V |
| Логическое входное напряжение, макс. | VDD |
| Мин. логическое входное напряжение | VSS |
| Passivation thickness 1 | 1.5 µm |
| Passivation thickness 2 | Proprietary |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Напряжение питания логики, макс. | VSS + 20V |
| Мин. напряжение питания логики | VSS + 5V |
| Материал изоляционного слоя | PSG (SiO2) |
| Напряжение входа лог. 0, макс. | 6.0V |
| Напряжение входа лог. 1, мин. | 9.5V |
| Толщина изоляционного слоя | 1.5 µm |
| Макс. выходное напряжение низкого уровня | 0.1V |
| Power dissipation soic16 max | 1.25W |
| Макс. задержка распространения при включении | 150ns |
| Тип. задержка распространения при включении | 120ns |
| Макс. температура пайки выводов | 300°C |
| Ток смещения лог. 0, макс. | 1.0µA |
| Макс. ток смещения лог. 1 | 40µA |
| Тип. ток смещения лог. 1 | 20µA |
| Задержка распространения отключения, макс. | 140ns |
| Задержка распространения выключения, тип. | 110ns |
| Макс. задержка распространения при выключении | 125ns |
| Тип. задержка распространения при выключении | 94ns |
| Logic supply offset voltage max | 5V |
| Logic supply offset voltage min | -5V |
| Logic input voltage absolute max | VDD + 0.3V |
| Logic input voltage absolute min | VSS - 0.3V |
| Ток покоя VBS, макс. | 230µA |
| Ток покоя VBS, тип. | 125µA |
| Макс. ток покоя питания Vcc | 340µA |
| Ток покоя VCC, тип. | 180µA |
| Quiescent vdd supply current max | 30µA |
| Quiescent vdd supply current typ | 15µA |
| Logic supply voltage absolute max | VSS + 25V |
| Low side fixed supply voltage max | 20V |
| Low side fixed supply voltage min | 10V |
| Ток утечки питания смещения, макс. | 50µA |
| Падение напряжения высокого уровня, макс. | 1.2V |
| Low side output voltage absolute max | VCC + 0.3V |
| Low side output voltage absolute min | -0.3V |
| Макс. напряжение плавающего питания верхнего ключа | VS + 20V |
| Напряжение плавающего питания верхнего ключа, мин. | VS + 10V |
| Vbs undervoltage negative threshold max | 9.4V |
| Vbs undervoltage negative threshold min | 7.0V |
| Vbs undervoltage negative threshold typ | 8.2V |
| Vbs undervoltage positive threshold max | 9.7V |
| Vbs undervoltage positive threshold min | 7.5V |
| Vbs undervoltage positive threshold typ | 8.6V |
| Vcc undervoltage negative threshold max | 9.4V |
| Vcc undervoltage negative threshold min | 7.0V |
| Vcc undervoltage negative threshold typ | 8.2V |
| Vcc undervoltage positive threshold max | 9.6V |
| Vcc undervoltage positive threshold min | 7.4V |
| Vcc undervoltage positive threshold typ | 8.5V |
| Logic supply offset voltage absolute max | VCC + 0.3V |
| Logic supply offset voltage absolute min | VCC - 25V |
| Low side fixed supply voltage absolute max | 25V |
| Мин. импульсный ток короткого замыкания низкого уровня | 2.0A |
| Тип. импульсный ток короткого замыкания низкого уровня | 2.5A |
| Макс. напряжение смещения плавающего питания верхнего ключа | 500V |
| Напряжение смещения плавающего питания верхнего ключа, мин. | -4V |
| Мин. импульсный ток короткого замыкания высокого уровня | 2.0A |
| Тип. импульсный ток короткого замыкания высокого уровня | 2.5A |
| Allowable offset supply voltage transient max | 50V/ns |
| High side floating output voltage absolute max | VB + 0.3V |
| High side floating output voltage absolute min | VS - 0.3V |
| High side floating supply voltage absolute max | 525V |
| Thermal resistance junction to ambient soic16 max | 100°C/W |
| High side floating supply offset voltage absolute max | VB + 0.3V |
| High side floating supply offset voltage absolute min | VB - 25V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?