Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 36A
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
58 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:58 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 434,15 |
| от 2 | 1 419,69 |
| от 3 | 1 401,90 |
| от 5 | 1 378,77 |
| от 10 | 1 346,22 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Infineon. Рабочее напряжение 900 В при токе до 36 А, корпус PG-TO247. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | PG-TO247 (TO-247) |
| Особенности | Lowest figure-of-merit Rds(on)*Qg, Extreme dv/dt rated, High peak current capability, Qualified for target applications |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 25ns typ |
| Время нарастания | 20ns typ |
| Артикул | IPW90R120C3 |
| Применение | Quasi Resonant Flyback/Forward topologies, PC Silverbox, consumer applications, Industrial SMPS |
| Покрытие выводов | Pb-free, RoHS compliant |
| Квалификация | JEDEC J-STD20 and JESD22 |
| Gate resistance | 0.9Ω typ (f=1MHz) |
| Момент затяжки | 60 Ncm (M3 and M3.5 screws) |
| Gate charge total | 270nC typ |
| Заряд сток-затвор | 115nC typ |
| Вх. емкость | 6800pF typ |
| Рассеиваемая мощность | 417W (Tc=25°C) |
| Заряд затвор-исток | 32nC typ |
| Выходная емкость | 330pF typ |
| Reverse diode dvdt | 4 V/ns |
| Время задержки включения | 70ns typ |
| Diode pulse current | 81A |
| Темп. хранения | -55°C to 150°C |
| Время задержки выключения | 400ns typ |
| Gate leakage current | 100nA max (VGS=20V) |
| Gate plateau voltage | 4.7V typ |
| Импульсный ток стока | 96A (Tc=25°C) |
| Напр. диода | 0.8V typ, 1.2V max (Tj=25°C) |
| Drain leakage current | 10µA max (Tj=25°C), 50µA typ (Tj=150°C) |
| Время обратного восстановления | 920ns typ |
| Температура пайки | 260°C (wavesoldering, 10s) |
| Dvdt ruggedness mosfet | 50 V/ns |
| Gate source voltage ac | ±30V (f>1Hz) |
| Gate threshold voltage | 2.5V min, 3V typ, 3.5V max |
| Заряд обратного восстановления | 30µC typ |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Continuous drain current | 36A (Tc=25°C), 23A (Tc=100°C) |
| Макс. напряжение сток-исток | 900V |
| Gate source voltage static | ±20V |
| Avalanche energy repetitive | 2.9mJ (IAR=8.8A, VDD=50V) |
| Avalanche current repetitive | 8.8A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 |
| Avalanche energy single pulse | 1940mJ (ID=8.8A, VDD=50V) |
| Peak reverse recovery current | 65A typ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 900V min (ID=250µA) |
| Макс. Rси вкл. | 0.12Ω (Tj=25°C) |
| Drain source on resistance typ | 0.10Ω (Tj=25°C) |
| Рабочая температура перехода | -55°C to 150°C |
| Continuos diode forward current | 26A (Tc=25°C) |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.3 K/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62 K/W (leaded) |
| Effective output capacitance time related | 790pF typ |
| Effective output capacitance energy related | 200pF typ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?