Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19A TO247-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
224 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:224 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 673,52 |
| от 2 | 664,72 |
| от 3 | 653,28 |
| от 6 | 636,82 |
| от 11 | 609,29 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Infineon. Работает при напряжении до 600 В и токе до 19 А, выпускается в корпусе PG-TO247-3. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Серия | CoolMOS C7 |
| Корпус | TO-247 |
| Eoss typ | 4uJ |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | IPW60R120C7XKSA1 |
| Кол-во выводов | 3 |
| Rds(вкл) макс. | 120mOhm |
| Технология | Superjunction (SJ) |
| Описание | MOSFET N-Channel 600V 19A TO247-3 |
| Применение | PFC stages, PWM stages (TTF, LLC), SMPS, Computing, Server, Telecom, UPS, Solar |
| Тип. время спада | 5ns |
| Квалификация | JEDEC (J-STD20 and JESD22) |
| Тип. время нарастания | 7ns |
| Rds on typ tj25 | 0.103Ohm |
| Rds on typ tj150 | 0.210Ohm |
| Diode pulse current | 66A |
| Eoss test condition | VDS=400V |
| Gate resistance typ | 0.83Ohm |
| Макс. момент затяжки | 60Ncm |
| Reverse diode dv dt | 20V/ns |
| Условия пайки | 1.6mm from case for 10s |
| Импульсный ток стока | 66A |
| Gate charge total typ | 34nC |
| Тип. входная емкость | 1500pF |
| Rds on test condition | VGS=10V, ID=7.8A |
| Выходная емкость тип. | 27pF |
| Power dissipation tc25 | 92W |
| Время задержки вкл. тип. | 10.7ns |
| Mosfet dv dt ruggedness | 120V/ns |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 52ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Avalanche test condition | ID=4.4A, VDD=50V |
| Макс. напряжение сток-исток | 650V |
| Gate plateau voltage typ | 5.0V |
| Gate to drain charge typ | 11nC |
| Switching test condition | VDD=400V, VGS=13V, ID=7.8A, RG=4.3Ohm |
| Gate to source charge typ | 8nC |
| Mounting torque condition | M3 and M3.5 screws |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Capacitance test condition | VGS=0V, VDS=400V, f=250kHz |
| Gate charge test condition | VDD=400V, ID=7.8A, VGS=0 to 10V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.5V |
| Avalanche energy repetitive | 0.39mJ |
| Mosfet dv dt test condition | VDS=0...400V |
| Испытательное напряжение изоляции | n.a. |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3 |
| Avalanche energy single pulse | 78mJ |
| Continuous drain current tc25 | 119A |
| Avalanche current single pulse | 4.4A |
| Continuous drain current tc100 | 19A |
| Continuous drain current tj150 | 31A |
| Gate resistance test condition | f=1MHz, open drain |
| Gate source voltage static max | ±20V |
| Gate source leakage current max | 100nA |
| Gate source voltage dynamic max | ±30V |
| Maximum diode commutation speed | 360A/us |
| Diode commutation test condition | VDS=0...400V, ISD<=6.7A, Tj=25°C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.357°C/W |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 600V |
| Gate source leakage test condition | VGS=20V, VDS=0V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Reverse diode dv dt test condition | VDS=0...400V, ISD<=6.7A, Tj=25°C |
| Output capacitance time related typ | 515pF |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Continuous diode forward current tc25 | 19A |
| Gate threshold voltage test condition | VDS=VGS, ID=0.39mA |
| Output capacitance energy related typ | 50pF |
| Zero gate voltage drain current tj25 max | 1uA |
| Zero gate voltage drain current tj150 max | 10uA |
| Drain source breakdown voltage test condition | VGS=0V, ID=1mA |
| Zero gate voltage drain current test condition | VDS=600V, VGS=0V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?