+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В

ТРАНЗИСТОРЫ IPW60R080P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 37A, 129Вт, корпус TO-247-3 IPW60R080P7XKSA1

Артикул:1198486
У поставщика
У поставщиков
150 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:150 шт
Срок поставки: до 21 дн.
Норм. уп.: 2
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 2563,13
Описание

Полевой N-канальный MOSFET от Infineon Technologies на напряжение 600 В и ток 47 А. Модель отличается низким сопротивлением открытого канала 80 мОм и мощностью рассеивания до 255 Вт, выполнена в прочном выводном корпусе TO-247. Подходит для импульсных источников питания, силовой электроники и промышленной автоматики.

Технические характеристики
ТипMOSFET
Ток, А47 А
КорпусTO-247
МонтажВыводной
Мощность255 Вт
Напряжение, В600 В
Сопротивление80 мОм

Заметили ошибку в описании или параметрах?