+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IPW60R060C7XKSA1
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 54А 162Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Артикул:854192
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
43 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:43 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1638,89
от 2630,64
от 3619,88
от 5604,45
от 10578,59
Описание

Полевой N-канальный MOSFET от Infineon рассчитан на напряжение 650 В и ток до 54 А. Мощность рассеивания составляет 162 Вт, компонент выпускается в прочном корпусе TO-247. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей в промышленной автоматике.

Технические характеристики
Ear0.80mJ
Eas159mJ
Ias6.4A
Тип. заряд затвора68nC
Rg typ0.8Ohm
Tf тип.4ns
Макс. Tj150C
Tj мин.-55C
Tr тип.11ns
Маркировка60C7060
КорпусPG-TO247
Qgd тип.23nC
Qgs тип.14nC
Макс. Vds650V
Тип. Ciss2850pF
Coss тип.54pF
Id pulse135A
Igss макс.100nA
Is pulse135A
Тип монтажаВыводной
Ptot 25c162W
Макс. Tstg150C
Мин. Tstg-55C
Co er typ101pF
Co tr typ1050pF
Eoss 400v8.1uJ
Кол-во выводов3-Pin(3+Tab)
Td(вкл) тип.15.5ns
Tsold max260C
Vds rated600V
Код заказаIPW60R060C7XKSA1
Rds(вкл) макс.60mOhm
Rth jc max0.772C/W
Тип винтаM3 and M3.5
Td(выкл) тип.79ns
ТехнологияCoolMOS C7 Superjunction
Vgs порог макс.4V
Vgs порог мин.3V
Vgs(th) тип.3.5V
Описание600V CoolMOS C7 Power Transistor
АртикулIPW60R060C7
Vbr dss min600V
Макс. IDSS при 25°C1uA
Vplateau typ5.0V
Idss max 150c10uA
Непрерывный35A
Rth ja leaded62C/W
Rds on typ 25c0.050Ohm
Vgs static max±20V
Rds on typ 150c0.125Ohm
Vgs dynamic max±30V
Body diode di dt420A/us
Dv dt ruggedness120V/ns
Ток стока непрерывный 25C54A
Непрерывный ток 100°C32A
Макс. момент затяжки60Ncm
Reverse diode dv dt20V/ns
Тип упаковкиTube (туба)
Описание (англ.)MOSFET N-CH 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Заметили ошибку в описании или параметрах?