Документация
Транзистор полевой IPP126N10N3GXKSA1
У поставщика
У поставщиков
61 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 35,33 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:61 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 35,33 |
Описание
Полевой транзистор Infineon IPP126N10N3GXKSA1 выполнен по технологии OptiMOS 3. Работает при напряжении до 100 В и токе до 126 А, сопротивление открытого канала составляет 12,6 мОм. Корпус TO-220 обеспечивает эффективный отвод тепла. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |