Документация
IPP034N08N5AKSA1, транзистор N-канал 80В 120A TO220-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
119 шт.
Норм. уп.: 3
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:119 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 393,30 |
| от 3 | 362,69 |
Описание
Транзистор N-канал от Infineon, выполненный по технологии OptiMOS 5. Работает при напряжении до 80 В и токе до 120 А, рассеивает мощность 167 Вт в корпусе TO-220-3. Отличается низким сопротивлением открытого канала и быстрым переключением (время нарастания и спада 12 нс). Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO220-3 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | N-channel |
| Время спада | 12ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 12ns |
| Технология | OptiMOS 5 |
| Артикул | IPP034N08N5AKSA1 |
| Без галогенов | Да |
| Output charge | 82nC |
| Соотв. RoHS | Да |
| Avalanche energy | 186mJ |
| Описание | MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3 |
| Рассеиваемая мощность | 167W |
| Время задержки включения | 18ns |
| Структура | N-канал |
| Diode pulse current | 480A |
| Gate resistance max | 2.3Ω |
| Gate resistance typ | 1.5Ω |
| Время задержки выключения | 37ns |
| Импульсный ток стока | 480A |
| Transconductance min | 76S |
| Transconductance typ | 152S |
| Gate charge total max | 87nC |
| Gate charge total typ | 69nC |
| Входная емкость макс. | 6240pF |
| Тип. входная емкость | 4800pF |
| Макс. выходная емкость | 1030pF |
| Выходная емкость тип. | 790pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Continuous drain current | 120A |
| Diode continuous current | 120A |
| Макс. напряжение сток-исток | 80V |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.97V |
| Макс. раб. темп. | 175°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Макс. время обрат. восстановления | 146ns |
| Тип. время восст. | 73ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3.8V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.2V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.0V |
| Reverse recovery charge max | 332nC |
| Тип. заряд восст. | 166nC |
| Макс. Rси вкл. | 3.4mΩ |
| Drain source on resistance typ | 3.0mΩ |
| Reverse transfer capacitance max | 63pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 36pF |
| Thermal resistance junction case max | 0.9K/W |
| Thermal resistance junction case typ | 0.7K/W |
| Thermal resistance junction ambient 6cm2 copper | 40K/W |
| Thermal resistance junction ambient min footprint | 62K/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Напряжение, В | 80 |
| Ток, А | 120 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?