Документация
Транзистор IPD50R800CEAUMA1
У поставщика
У поставщиков
713 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:713 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 67,19 |
| от 12 | 65,68 |
| от 23 | 63,55 |
| от 46 | 60,35 |
| от 92 | 56,21 |
Описание
Транзистор IPD50R800CEAUMA1 от Infineon — мощный MOSFET с технологией CoolMOS. Предназначен для высоковольтных импульсных источников питания и преобразователей. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой эффективностью переключения.
Технические характеристики
| Qg | 12.4nC |
| Tf | 15.9ns |
| Tr | 5.5ns |
| Vf | 0.83V |
| Заряд затвор-сток | 6.8nC |
| Заряд затвор-исток | 1.5nC |
| TRR | 158ns |
| Ciss | 280pF |
| Coss | 23pF |
| Eoss | 1.46µJ |
| Idss | 10µA |
| IGSS | 100nA |
| Co er | 18pF |
| Co tr | 67pF |
| Td(вкл) | 6.2ns |
| Pd макс. | 60W |
| Td(выкл) | 26ns |
| Макс. Tj | 150°C |
| Tj мин. | -55°C |
| Корпус | PG-TO 252 (DPAK) |
| Vbr dss | 500V |
| Макс. Vds | 550V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Id pulse | 15.5A |
| Тип монтажа | SMD |
| Vplateau | 5.3V |
| Rds(вкл) макс. | 0.8Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.72Ω |
| Vgs порог макс. | 3.5V |
| Vgs порог мин. | 2.5V |
| Id непрерывный | 7.6A |
| Gate resistance | 3Ω |
| Reverse diode dvdt | 15V/ns |
| Diode pulse current | 15.5A |
| Температура пайки | 260°C |
| Mosfet dvdt ruggedness | 50V/ns |
| Avalanche energy single | 83mJ |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Avalanche energy repetitive | 0.13mJ |
| Max diode commutation speed | 500A/µs |
| Avalanche current repetitive | 1.9A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Continuous diode forward current | 5.4A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.07°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 35-62°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?