Документация
Транзисторы и сборки MOSFET IPA80R1K4P7XKSA1
У поставщика
ПроизводительINFIN
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 946 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт136,99 ₽
Сумма684,95 ₽
В наличии1 946 шт
от 5 штюрлицам и ИП
5 шт · Склад 39 · 684,95 ₽
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) производства Infineon, выполненный в изолированном корпусе для поверхностного монтажа. Относится к серии CoolMOS, предназначен для высоковольтных силовых приложений. Обеспечивает низкие потери при переключении и высокую эффективность преобразования энергии. Применяется в импульсных источниках питания, блоках питания и схемах коррекции коэффициента мощности.
Технические характеристики
| Тип FET | N-канальный |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220-3 Full Pack |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F |
| Пороговое напряжение Vgs (Макс.) при Id | 3.5V @ 700µA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Сопротивление Rds вкл. (Макс.) при Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (Макс.) | 24W (Tc) |
| Корпус по производителю | PG-TO220-3-31 |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 800 V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) при Vds | 250 pF @ 500 V |
| Напряжение управления (Макс. Rds вкл., Мин. Rds вкл.) | 10V |
| Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C | 4A (Tc) |
| Мощность, Вт | 83 |
| Напряжение, В | 800 |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?