Документация
Оптопара ILD217T
У поставщика
У поставщиков
9 469 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 997 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 47,96 |
| от 16 | 46,71 |
| от 31 | 44,99 |
| от 61 | 42,45 |
| от 121 | 39,36 |
Склад 39
В наличии:3 311 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 42,03 |
Склад 15
В наличии:1 160 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 20
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 20 | 56,35 |
Склад 12
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 41,40 |
| от 50 | 37,38 |
Описание
Оптопара ILD217T от Vishay — двухканальная транзисторная оптопара в корпусе SOIC-8 для поверхностного монтажа. Работает в широком диапазоне температур от -55 до +100 °C, рассеиваемая мощность составляет 350 мВт. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| Тип | Оптопара транзисторная двухканальная |
| Мощность, Вт | 350 |
| Вес | 0.39 |
| В упаковке | REEL, 2000 шт. |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | SOIC-8 (SMD) |
| Рабочая температура | -55…+100 °С |
| Артикул | ILD217T |
| Производитель | Vishay Semiconductors |
| Высота корпуса | 0.51mm |
| Время пайки | 10s |
| Вх. емкость | 25pF |
| Напр. изоляции | 4000V RMS |
| Ctr test condition | Vce=5V, If=1mA |
| Количество каналов | 2 |
| Ширина корпуса | 3.91mm |
| Package lead pitch | 1.27mm |
| Макс. прямое напряжение | 1.55V |
| Типовое прямое напряжение | 1.2V |
| Package body length | 6.10mm |
| Макс. обратный ток | 100μA |
| Reverse current typ | 0.1μA |
| Сопр. изоляции | 100GΩ |
| Емк. изоляции | 0.5pF |
| Safety creepage distance | 4mm |
| Вх. ток макс. | 30mA |
| Input peak pulsed current | 1A |
| Обр. напр. вх. макс. | 6V |
| Safety clearance distance | 4mm |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Мин. коэфф. передачи тока | 100% |
| Current transfer ratio typ | 120% |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +100°C |
| Safety insulation thickness | 0.2mm |
| Package lead coplanarity max | 0.1mm |
| Collector emitter capacitance | 10pF |
| Условия измерения прямого напряжения | If=10mA |
| Total package power dissipation | 350mW |
| Saturation voltage test condition | Ic=10mA, If=2.5mA |
| Input power dissipation per channel | 50mW |
| Output power dissipation per channel | 125mW |
| Collector emitter leakage current max | 50nA |
| Collector emitter leakage current typ | 5nA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.4V |
| Output collector emitter breakdown voltage | 70V |
| Output emitter collector breakdown voltage | 7V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?