Документация
ILD217T, оптопара с инфракрасным светодиодом из арсенида галлия и кремниевым NPN-фототранзистором (S
У поставщика
ПроизводительFulihao Tech
У поставщиков
1 800 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 800 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 69,35 |
| от 100 | 48,30 |
Описание
Оптопара ILD217T от Fulihao Tech — это двухканальный оптрон с фоттранзисторным выходом в компактном корпусе SOIC-8 для поверхностного монтажа. Компонент обеспечивает гальваническую развязку до 4000 В RMS, выдерживает прямое напряжение до 1,55 В при токе 10 мА и рассеивает до 350 мВт. Подходит для промышленной автоматики, измерительного оборудования и систем управления питанием.
Технические характеристики
| Тип | optocoupler |
| Корпус | SOIC-8 |
| Каналы | 2 |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 8 |
| Input Type | DC |
| Safety isi | 150mA |
| Safety pso | 350mW |
| Safety tsi | 165°C |
| Output Type | Transistor |
| Описание | Optocoupler, phototransistor output, dual channel, SOIC-8 package |
| Артикул | ILD217T |
| Safety viorm | 560V |
| Safety viotm | 6000V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Время пайки | 10s at 260°C |
| Прямое напряжение | Value: 1.2V typical, 1.55V maximum; Condition: IF = 10mA |
| Сертификаты | UL1577, cUL |
| Описание | OPTOISOLTR 4KV 2CH TRANS 8-SOIC |
| Путь утечки | 4mm |
| Вх. емкость | 25pF at VR = 0V |
| Напр. изоляции | 4000V RMS |
| Number of Channels | 2 |
| Воздушный зазор | 4mm |
| Размеры упаковки | Ширина корпуса: 3.91 ± 0.13 mm; Шаг выводов: 1.27 mm nominal; Ширина вывода: 0.41 mm typical; Высота корпуса: 5.84 ± 0.13 mm (max 6.27 mm); Длина корпуса: 6.10 ± 0.25 mm |
| Voltage - Isolation | 4000Vrms |
| Макс. обратный ток | 100µA at VR = 6V |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Толщина изоляции | 0.2mm |
| Operating Temperature | -55°C ~ 100°C |
| Rise / Fall Time (Typ) | 3µs, 4.7µs |
| Voltage - Output (Max) | 70V |
| Current transfer ratio | Min: 100%; Typ: 120%; Condition: VCE = 5V, IF = 1mA |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Total package dissipation | 350mW |
| Input peak reverse voltage | 6V |
| Resistance input to output | 100GΩ |
| Capacitance input to output | 0.5pF |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +100°C |
| Current Transfer Ratio (Min) | 100% @ 1mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Turn On / Turn Off Time (Typ) | 6µs, 5µs |
| Collector emitter capacitance | 10pF at VCE = 0V |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 30 mA |
| Input power dissipation per channel | 50mW |
| Output power dissipation per channel | 125mW |
| Collector emitter leakage current max | 50nA at VCE = 10V, IF = 0A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.4V at IF = 10mA, IC = 2.5mA |
| Output collector emitter breakdown voltage | 70V |
| Output emitter collector breakdown voltage | 7V |
| Input continuous forward current per channel | 30mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?