Документация
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 105 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 055 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 328,03 |
| от 30 | 312,39 |
| от 60 | 301,92 |
| от 120 | 292,71 |
| от 210 | 286,49 |
Склад 12
В наличии:50 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 527,85 |
| от 2 | 486,66 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от Infineon рассчитан на напряжение 600 В и ток до 80 А. Модель выдерживает мощность рассеивания 428 Вт и выполнена в корпусе PG-TO-247-3. Подходит для силовых цепей промышленной автоматики и преобразователей частоты.
Технические характеристики
| Тип | IKW75N60T |
| Серия | TRENCHSTOP |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | IKW75N60TFKSA1 |
| Кол-во выводов | 3 |
| Технология | TRENCHSTOP with Fieldstop technology |
| Описание | IGBT, 600V, 80A, 428W |
| Gate charge | 470nC |
| Fall time 25c | 35ns |
| Rise time 25c | 36ns |
| Fall time 175c | 38ns |
| Rise time 175c | 37ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Jedec qualified | Да |
| Fall time at 25c | 35ns |
| Rise time at 25c | 36ns |
| Transconductance | 41 S |
| Fall time at 175c | 38ns |
| Вх. емкость | 4620pF |
| Рассеиваемая мощность | 428W |
| Rise time at 175c | 37ns |
| Выходная емкость | 288pF |
| Turn on energy 25c | 2.0mJ |
| Темп. хранения | -55...+150°C |
| Turn off energy 25c | 2.5mJ |
| Turn on energy 175c | 2.9mJ |
| Dc collector current | 75A |
| Diode pulsed current | 225A |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Gate leakage current | 100nA |
| Turn off energy 175c | 2.9mJ |
| Diode forward current | 75A |
| Напр. диода | 1.65V |
| Температура пайки | 260°C |
| Turn on energy at 25c | 2.0mJ |
| Turn off energy at 25c | 2.5mJ |
| Turn on delay time 25c | 33ns |
| Turn on energy at 175c | 2.9mJ |
| Turn off delay time 25c | 330ns |
| Turn off energy at 175c | 2.9mJ |
| Turn on delay time 175c | 32ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Импульсный ток коллектора | 225A |
| Dc collector current 25c | 80A |
| Diode peak fall rate 25c | 921A/µs |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Power dissipation at 25c | 428W |
| Pulsed collector current | 225A |
| Turn off delay time 175c | 363ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Напр. диода макс. | 2.0V |
| Diode peak fall rate 175c | 1013A/µs |
| Диап. темп. хр. | -55..150°C |
| Turn on delay time at 25c | 33ns |
| Vce saturation max at 25c | 2.0V |
| Vce saturation typ at 25c | 1.5V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Diode forward voltage 175c | 1.6V |
| Total switching energy 25c | 4.5mJ |
| Turn off delay time at 25c | 330ns |
| Turn on delay time at 175c | 32ns |
| Vce saturation typ at 175c | 1.9V |
| Current collector dc at 25c | 80A |
| Internal emitter inductance | 13nH |
| Диап. раб. темп. | -40..175°C |
| Total switching energy 175c | 5.8mJ |
| Turn off delay time at 175c | 363ns |
| Current collector dc at 100c | 75A |
| Current diode forward pulsed | 225A |
| Gate emitter leakage current | 100nA |
| Обратная проходная емкость | 137pF |
| Short circuit withstand time | 5µs |
| Описание (англ.) | IGBT 600V 80A 428W TO247-3 |
| Total switching energy at 25c | 4.5mJ |
| Рабочая температура перехода | -40...+175°C |
| Total switching energy at 175c | 5.8mJ |
| Current diode forward dc at 25c | 80A |
| Diode reverse recovery time 25c | 121ns |
| Short circuit collector current | 690A |
| Diode forward voltage max at 25c | 2.0V |
| Diode forward voltage typ at 25c | 1.65V |
| Diode reverse recovery time 175c | 182ns |
| Leakage current ices at 25c 600v | 40µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.35K/W |
| Diode forward voltage typ at 175c | 1.6V |
| Diode reverse recovery charge 25c | 2.4µC |
| Leakage current ices at 175c 600v | 5000µA |
| Diode reverse recovery charge 175c | 5.8µC |
| Diode reverse recovery time at 25c | 121ns |
| Gate emitter threshold voltage max | 5.7V |
| Gate emitter threshold voltage min | 4.1V |
| Gate emitter threshold voltage typ | 4.9V |
| Diode reverse recovery time at 175c | 182ns |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40 K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5V |
| Diode reverse recovery charge at 25c | 2.4µC |
| Diode reverse recovery charge at 175c | 5.8µC |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.35 K/W |
| Thermal resistance junction case diode | 0.6 K/W |
| Diode peak reverse recovery current 25c | 38.5A |
| Zero gate voltage collector current 25c | 40µA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.0V |
| Diode peak reverse recovery current 175c | 56.2A |
| Zero gate voltage collector current 175c | 5000µA |
| Collector emitter saturation voltage 175c | 1.9V |
| Diode peak reverse recovery current at 25c | 38.5A |
| Diode peak reverse recovery current at 175c | 56.2A |
| Diode peak rate of fall of reverse recovery current at 25c | 921 A/µs |
| Diode peak rate of fall of reverse recovery current at 175c | 1013 A/µs |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 428 |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 75 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?