Документация
Транзистор IKW50N60H3FKSA1
У поставщика
У поставщиков
167 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:167 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 343,70 |
| от 8 | 323,66 |
| от 15 | 307,33 |
| от 30 | 295,19 |
| от 60 | 286,15 |
Описание
Транзистор IGBT от Infineon серии TrenchStop. Работает при напряжении до 600 В и токе до 50 А, отличается низким напряжением насыщения. Подходит для силовой электроники, частотных преобразователей и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | биполярные с изолированным затвором |
| Серия | High speed switching series third generation |
| Маркировка | K50H603 |
| Корпус | TO-247-3 |
| Тип монтажа | Выводной |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | стандартный |
| Технология | TRENCHSTOP |
| Gate Charge | 315 nC |
| Power - Max | 333 W |
| Gate charge | 315nC |
| Применение | uninterruptible power supplies, welding converters, converters with high switching frequency |
| Mounting Type | Through Hole |
| Fall time 25c | 45ns |
| Rise time 25c | 37ns |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Test Condition | 400V, 50A, 7Ohm, 15V |
| Fall time 175c | 143ns |
| Rise time 175c | 43ns |
| Момент затяжки | 0.6Nm |
| Switching Energy | 2.36mJ |
| Transconductance | 30S |
| Описание | IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3 |
| Ток коллектора | 50A |
| Вх. емкость | 2960pF |
| Рассеиваемая мощность | 136W |
| Выходная емкость | 116pF |
| Turn on energy 25c | 1.45mJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/235ns |
| Темп. хранения | -55...+150°C |
| Turn off energy 25c | 0.91mJ |
| Turn on energy 175c | 1.42mJ |
| Diode pulsed current | 200A |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Turn off energy 175c | 1.13mJ |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Diode forward current | 30A |
| Напр. диода | 1.65V |
| Ток КЗ | 330A |
| Температура пайки | 260°C |
| Turn on delay time 25c | 23ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| Turn off delay time 25c | 234ns |
| Turn on delay time 175c | 27ns |
| Pulsed collector current | 200A |
| Turn off delay time 175c | 273ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Total switching energy 25c | 2.36mJ |
| Reverse Recovery Time (trr) | 130 ns |
| Internal emitter inductance | 13nH |
| Total switching energy 175c | 2.55mJ |
| Gate emitter leakage current | 100nA |
| Обратная проходная емкость | 96pF |
| Short circuit withstand time | 10µs |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Gate emitter threshold voltage | 4.1V |
| Рабочая температура перехода | -40...+175°C |
| Diode reverse recovery time 25c | 163ns |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Diode reverse recovery time 175c | 217ns |
| Diode reverse recovery charge 25c | 1.89µC |
| Diode reverse recovery charge 175c | 2.49µC |
| Diode reverse recovery current 25c | 18A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600V |
| Diode reverse recovery current 175c | 24A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40K/W |
| Zero gate voltage collector current | 40µA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85V |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.45K/W |
| Thermal resistance junction case diode | 1.05K/W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Diode peak rate of fall of reverse recovery current 25c | -598A/µs |
| Diode peak rate of fall of reverse recovery current 175c | -307A/µs |
| Мощность, Вт | 333 |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?