Документация
Транзистор IKW40T120FKSA1
У поставщика
У поставщиков
11 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:11 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 939,14 |
| от 4 | 891,09 |
| от 7 | 851,94 |
| от 13 | 822,87 |
| от 30 | 801,25 |
Описание
Транзистор IKW40T120FKSA1 от Infineon — мощный IGBT с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током 40 А. Выполнен в корпусе TO-247, отличается низким напряжением насыщения и высокой скоростью переключения. Подходит для промышленной автоматики, сварочного оборудования и силовых преобразователей.
Технические характеристики
| RoHS | Соответствует |
| Тип | IGBT with anti-parallel diode |
| Корпус | PG-TO247-3-46 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | TrenchStop and Fieldstop |
| Gate charge | 203nC |
| Артикул | IKW40T120FKSA1 |
| Квалификация | JEDEC |
| Transconductance | 21S |
| Вх. емкость | 2500pF |
| Рассеиваемая мощность | 270W |
| Выходная емкость | 130pF |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Diode pulsed current | 105A |
| Internal gate resistor | 6Ω |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Pulsed collector current | 105A |
| Dc collector current tc25 | 75A |
| Напр. диода макс. | 2.3V |
| Тип. прямое напряжение диода | 1.75V |
| Dc collector current tc100 | 40A |
| Diode forward current tc25 | 80A |
| Diode reverse recovery 25c | Время обратного восстановления: 240ns; Заряд обратного восстановления: 3.8µC; Peak reverse recovery current: 28A; Peak rate of fall of recovery current: 370A/µs |
| Diode forward current tc100 | 40A |
| Diode reverse recovery 150c | Время обратного восстановления: 410ns; Заряд обратного восстановления: 8.8µC; Peak reverse recovery current: 36A; Peak rate of fall of recovery current: 330A/µs |
| Internal emitter inductance | 13nH |
| Обратная проходная емкость | 110pF |
| Short circuit withstand time | 10μs |
| Макс. напр. К-Э | 1200V |
| Switching characteristics 25c | Время спада: 70ns; Время нарастания: 34ns; Turn on energy: 3.3mJ; Turn off energy: 3.2mJ; Время задержки включения: 48ns; Время задержки выключения: 480ns; Total switching energy: 6.5mJ |
| Рабочая температура перехода | -40 to +150°C |
| Switching characteristics 150c | Время спада: 120ns; Время нарастания: 40ns; Turn on energy: 5.0mJ; Turn off energy: 5.4mJ; Время задержки включения: 52ns; Время задержки выключения: 580ns; Total switching energy: 10.4mJ |
| Gate emitter leakage current max | 600nA |
| Gate emitter threshold voltage max | 6.5V |
| Gate emitter threshold voltage min | 5.0V |
| Gate emitter threshold voltage typ | 5.8V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 1200V |
| Short circuit collector current typ | 210A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40 K/W |
| Thermal resistance igbt junction case | 0.45 K/W |
| Thermal resistance diode junction case | 0.81 K/W |
| Zero gate voltage collector current 25c max | 0.4mA |
| Collector emitter saturation voltage max 25c | 2.3V |
| Collector emitter saturation voltage typ 25c | 1.7V |
| Zero gate voltage collector current 150c max | 4.0mA |
| Collector emitter saturation voltage typ 125c | 2.1V |
| Collector emitter saturation voltage typ 150c | 2.3V |
| Напряжение, В | 1200 |
| Ток, А | 40 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?