Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IKW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 40А, 230Вт, корпус TO-247-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
143 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:143 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 191,07 |
| от 14 | 178,72 |
| от 30 | 168,67 |
| от 60 | 161,17 |
| от 120 | 155,60 |
Описание
IGBT-транзистор Infineon Technologies серии TRENCHSTOP 5. Рассчитан на напряжение 650 В и ток 40 А при мощности 230 Вт. Выполнен в корпусе TO-247-3, отличается низкими коммутационными потерями и высокой эффективностью. Применяется в силовой электронике, инверторах и импульсных источниках питания.
Технические характеристики
| Le typ | 13.0nH |
| Цоколевка | Pin1: gate; Pin2: collector; Pin3: emitter; Backside: collector |
| Тип. заряд затвора | 95.0nC |
| Rth JA | 40K/W |
| Тип | IGBT |
| Gfs тип. | 45.0S |
| Маркировка | K40EES5 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Без свинца | Да |
| Tvj max | 175°C |
| Tvj min | -40°C |
| Vce max | 650V |
| Cies typ | 2500pF |
| Coes typ | 71pF |
| Cres typ | 9pF |
| Iges max | 100nA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Vc rated | 650V |
| Vgem max | ±30V |
| Vges max | ±20V |
| Ic pulsed | 160.0A |
| If pulsed | 160.0A |
| Кол-во выводов | 3 |
| Тип диода | RAPID 1 fast antiparallel diode |
| Технология | TRENCHSTOP 5 |
| Tf 25c typ | 39ns |
| Tr 25c typ | 18ns |
| Vf 25c max | 1.70V |
| Vf 25c typ | 1.45V |
| Vge th max | 4.8V |
| Vge th min | 3.2V |
| Vge th typ | 4.0V |
| Описание | TRENCHSTOP 5 high speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode |
| Dirr dt min | -1500A/µs |
| Eon 25c typ | 0.86mJ |
| Ets 25c typ | 1.26mJ |
| Артикул | IKW40N65ES5 |
| Qrr 25c typ | 130nC |
| Rth jc igbt | 0.65K/W |
| Tf 175c typ | 27ns |
| Tr 175c typ | 18ns |
| Trr 25c typ | 71ns |
| Vbr ces min | 650V |
| Vf 175c max | 1.70V |
| Vf 175c typ | 1.32V |
| Eoff 25c typ | 0.40mJ |
| Eon 175c typ | 0.39mJ |
| Ets 175c typ | 0.60mJ |
| Ices 25c max | 0.05mA |
| Irrm 25c typ | 13.0A |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Qrr 175c typ | 260nC |
| Rth jc diode | 0.75K/W |
| Trr 175c typ | 72ns |
| Eoff 175c typ | 0.21mJ |
| Ices 175c max | 1.00mA |
| Irrm 175c typ | 17.0A |
| Td on 25c typ | 23ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Темп. пайки | 260°C |
| Время пайки | 10s |
| Td off 25c typ | 130ns |
| Td on 175c typ | 24ns |
| Jedec qualified | Да |
| Момент затяжки | 0.6Nm |
| Td off 175c typ | 143ns |
| Vce sat 25c max | 1.70V |
| Vce sat 25c typ | 1.35V |
| Vce sat 175c max | 2.00V |
| Vce sat 175c typ | 1.60V |
| Мощность, Вт | 250 |
| Ic continuous 25c | 90.0A |
| If continuous 25c | 90.0A |
| Ic continuous 100c | 59.0A |
| If continuous 100c | 59.0A |
| Напряжение, В | 650 В |
| Мощн. рас. 25°C | 230.0W |
| Power dissipation 100c | 115.0W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?